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a) 폴리사이오펜 용액을 기판 위에 코팅하는 단계;b) 기판 위에 형성된 젖은 상태의 폴리사이오펜 박막을 60 ~ 180초 동안 초음파 처리(Ultrasonication)하는 단계; 및c) 초음파 처리된 폴리사이오펜 박막을 건조시키는 단계;를 포함하며,상기 초음파 처리는 잔류용매의 증발속도를 증가시키고, 초음파 처리 시간이 증가할수록 폴리사이오펜 박막의 공액 길이가 증가하는 것을 특징으로 하는,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제1항에 있어서,상기 a) 단계의 폴리사이오펜은 폴리(3-헥실사이오펜)(Poly(3-hexylthiophene); P3HT)인 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제1항에 있어서,상기 a) 단계의 폴리사이오펜 용액의 용매는 클로로벤젠(CB)인 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제1항에 있어서,상기 a) 단계는 폴리사이오펜 용액을 기판 위에 스핀-코팅(Spin-coating)하여 수행되는 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제1항에 있어서,상기 b) 단계의 초음파처리는 42 kHz의 주파수 조건으로 수행되는 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제1항에 있어서,상기 c) 단계 이후,d) 폴리사이오펜 박막을 열적 어닐링하여 기판과 폴리사이오펜 박막의 부착력을 증가시키는 단계;를 더 포함하는 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제7항에 있어서,상기 열적 어닐링은 100℃에서 30분 동안 수행되는 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제1항에 있어서,상기 방법에 따라 자기조립된 폴리사이오펜 박막은 전계효과 트랜지스터(FETs)용 전도성 고분자 박막으로 사용되는 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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