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기판상에 하부 전극층을 형성하는 하부 전극층 형성 단계;상기 하부 전극층상에 메모리 물질층을 형성하는 메모리 물질층 형성 단계;상기 메모리 물질층의 미리 설정된 영역에 단일 공극 형성용 금속층을 형성하는 공극 형성용 금속층 형성 단계;상기 단일 공극 형성용 금속층 하부의 상기 메모리 물질층을 제거하여 단일 공극을 형성하는 단일 공극 형성 단계; 및상기 형성된 단일 공극에 상부 전극을 형성하는 상부 전극 형성 단계를 포함하는 저항 스위칭 메모리 소자 제조 방법으로서,상기 단일 공극은 상기 단일 공극 형성용 금속층을 미리 설정된 온도까지 가열함으로써 상기 단일 공극 형성용 금속층이 상기 메모리 물질층으로 침투하여 형성되고,상기 단일 공극의 크기와 형태는 상기 단일 공극 형성용 금속층의 크기 및 가열 형태에 의해 제어되며,상기 상부 전극과 상기 하부 전극층으로부터 형성되는 하부 전극 사이에 전압을 인가하여, 스위칭 필라멘트의 크기를 상기 상부 전극에 형성되는 나노 갭 사이로 제한하는 것을 특징으로 하는 저항 스위칭 메모리 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 메모리 물질층은 실리콘 산화물층인 것을 특징으로 하는 저항 스위칭 메모리 소자 제조 방법
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청구항 2에 있어서,상기 하부 전극으로 전압을 인가하기 위해, 상기 실리콘 산화물층의 미리 설정된 영역을 제거하여 상기 하부 전극층을 노출시키는 하부 전극 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 스위칭 메모리 소자 제조 방법
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청구항 3에 있어서,상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 전압을 인가하여 상기 단일 공극 내의 상부 전극 영역에 분리 영역을 형성하는 스위칭 영역 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 스위칭 메모리 소자 제조 방법
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청구항 4에 있어서,상기 단일 공극 형성용 금속층의 금속은 금, 은, 백금, 텅스텐 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 저항 스위칭 메모리 소자 제조 방법
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청구항 5에 있어서,상기 단일 공극 형성용 금속층은 포토리소그래피 공정 또는 전자빔리소그래피 공정을 이용하여 패터닝된 후 증착되는 것을 특징으로 하는 저항 스위칭 메모리 소자 제조 방법
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청구항 6에 있어서,상기 단일 공극은 나노 스케일의 공극 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 저항 스위칭 메모리 소자 제조 방법
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기판상에 형성된 하부 전극층;상기 하부 전극층상에 형성되고 내부에 단일 공극이 형성된 메모리 물질층;상기 단일 공극에 형성되는 상부 전극을 포함하며,상기 단일 공극은 상기 메모리 물질층의 미리 설정된 영역에 형성된 단일 공극 형성용 금속층 하부의 상기 메모리 물질층을 제거하여 형성된 저항 스위칭 메모리 소자로서,상기 단일 공극은 상기 단일 공극 형성용 금속층을 미리 설정된 온도까지 가열함으로써 상기 단일 공극 형성용 금속층이 상기 메모리 물질층으로 침투하여 형성되고,상기 단일 공극의 크기와 형태는 상기 단일 공극 형성용 금속층의 크기 및 가열 형태에 의해 제어되며,상기 상부 전극과 상기 하부 전극층으로부터 형성되는 하부 전극 사이에 전압을 인가하여, 스위칭 필라멘트의 크기를 상기 상부 전극에 형성되는 나노 갭 사이로 제한하는 것을 특징으로 하는 저항 스위칭 메모리 소자
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청구항 8에 있어서,상기 메모리 물질층은 실리콘 산화물층인 것을 특징으로 하는 저항 스위칭 메모리 소자
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청구항 9에 있어서,상기 실리콘 산화물층의 미리 설정된 영역이 제거되어 형성된 하부 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 스위칭 메모리 소자
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청구항 10에 있어서,상기 상부 전극은 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 전압을 인가하여 상기 단일 공극 내의 전극 영역에 형성된 분리 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 스위칭 메모리 소자
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청구항 11에 있어서,상기 단일 공극 형성용 금속층 물질은 금, 은, 백금, 텅스텐 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 저항 스위칭 메모리 소자
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청구항 12에 있어서,상기 단일 공극 형성용 금속층은 포토리소그래피 공정 또는 전자빔리소그래피 공정을 이용하여 패터닝된 후 증착되는 것을 특징으로 하는 저항 스위칭 메모리 소자
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청구항 13에 있어서,상기 단일 공극은 나노 스케일의 공극 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 저항 스위칭 메모리 소자
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