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광 전극의 제조 방법 및 이를 이용한 광 전극

  • 기술번호 : KST2018013084
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 텅스텐(W)을 포함하는 제1 소스 용액을 제공하여 WO3(tungsten trioxide)를 포함하는 광 흡수층(light absorption layer)을 형성하는 단계, 상기 광 흡수층 상에 비스무스(Bi)를 포함하는 제2 소스 용액을 제공하여 전하 분리층(charge separation layer)을 형성하는 단계, 및 상기 전하 분리층 상에 티타늄(Ti)을 포함하는 제3 소스 용액을 제공하여 광전 안정층(photoelectric stabilizing layer)을 형성하는 단계를 포함하는 광 전극의 제조 방법이 제공될 수 있다.
Int. CL H01G 9/20 (2006.01.01)
CPC H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01)
출원번호/일자 1020170031896 (2017.03.14)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0105291 (2018.09.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.14)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전형탁 대한민국 서울특별시 노원구
2 신석윤 대한민국 경기 고양시 일산서구
3 서형탁 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 샨카라 인도 경기도 수원시 영통구
5 유일한 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0252638-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.11.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0016062-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0081455-53
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0316373-17
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0425331-23
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0468405-55
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-0468404-10
9 등록결정서
Decision to grant
2018.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0711841-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 텅스텐(W)을 포함하는 제1 소스 용액을 제공하여 WO3(tungsten trioxide)를 포함하고, 다공성이며, 결정질인 광 흡수층(light absorption layer)을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 상에 비스무스(Bi)를 포함하는 제2 소스 용액을 제공하여 전하 분리층(charge separation layer)을 형성하는 단계; 및상기 전하 분리층 상에 티타늄(Ti)을 포함하는 제3 소스 용액을 제공하여 광전 안정층(photoelectric stabilizing layer)을 형성하는 단계를 포함하는 광 전극의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1 소스 용액은, 텅스텐(W)을 포함하는 베이스 용액에 pH 조절제 및 산화제를 순차적으로 제공한 후, 기계적 혼합화(mechanical mixing)하여 제조되는 것을 포함하는 광 전극의 제조 방법
3 3
제2 항에 있어서,광 흡수층을 형성하는 단계는,텅스텐(W)을 포함하는 베이스 용액 및 상기 pH 조절제를 기계적 혼합화(mechanical mixing)하여 텅스텐산을 제조하는 단계; 및상기 텅스텐산 및 상기 산화제를 상기 기계적 혼합화하여 제1 소스 용액을 제조하는 단계를 포함하는 광 전극의 제조 방법
4 4
제2 항에 있어서,상기 pH 조절제는 질산(HNO3) 또는 황산(H2SO4)을 포함하고,상기 산화제는 과산화수소(H2O2)를 포함하는 광 전극의 제조 방법
5 5
제2 항에 있어서,상기 제1 소스 용액의 pH는 1 이하인 것을 포함하는 광 전극의 제조 방법
6 6
제1 항에 있어서,상기 광 흡수층을 형성하는 단계는, 상기 제1 소스 용액이 제공된 상기 기판에 열 및 압력을 제공하는 단계를 더 포함하는 광 전극의 제조 방법
7 7
제1 항에 있어서,상기 전하 분리층을 형성하는 단계는,상기 광 흡수층 상에 바인더(binder)를 제공하는 것을 더 포함하는 광 전극의 제조 방법
8 8
제7 항에 있어서,상기 바인더는 에틸 셀룰로오스(Ethyl cellulose)를 포함하는 광 전극의 제조 방법
9 9
기판;상기 기판 상에 배치되고, 텅스텐 트리옥사이드(tungsten trioxide, WO3)를 포함하고, 다공성이며, 결정질인 광 흡수층;상기 광 흡수층 상의 비스무스(Bi)를 포함하는 전하 분리층; 및상기 전하 분리층 상의 티타늄(Ti)을 포함하는 광전 안정층을 포함하는 광 전극
10 10
삭제
11 11
제9 항에 있어서,상기 전하 분리층은 바인더(binder)인 에틸 셀룰로오즈(Ethyl cellulose)를 더 포함하는 광 전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 (재)한국연구재단 이공분야 기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 핵심연구(개인-성과확산) 플라즈모닉 나노입자 기반 고효율 광에너지 하베스트 소자개발