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a) 기판 위에 폴리사이오펜 용액을 코팅하여 폴리사이오펜 박막을 형성하는 단계;b) 기판 위에 형성된 젖은 상태의 폴리사이오펜 박막을 용매 증기(Solvent vapor)가 있는 조건 하에서 초음파처리(Ultrasonication)하는 단계; 및c) 초음파처리된 폴리사이오펜 박막을 건조시키는 단계;를 포함하며,상기 b) 단계의 용매 증기가 있는 조건은,폴리사이오펜 박막이 배치되는 밀봉 용기에, 코팅에 사용된 폴리사이오펜 용액의 용매보다 비점이 낮은 저비점 용매를 투입한 후, 상기 저비점 용매를 증발시켜 조성되는 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제2항에 있어서,상기 a) 단계의 폴리사이오펜은 폴리(3-헥실사이오펜)(Poly(3-hexylthiophene); P3HT)인 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제2항에 있어서,상기 a) 단계의 폴리사이오펜 용액의 용매는 클로로벤젠(CB)인 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제2항에 있어서,상기 a) 단계는 폴리사이오펜 용액을 기판 위에 스핀-코팅(Spin-coating)하여 수행되는 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제2항에 있어서,상기 b) 단계에서 초음파 처리 시간은 30 ~ 300초인 것인, 폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제2항에 있어서,상기 폴리사이오펜 용액의 용매는 클로로벤젠(CB)이고, 상기 저비점 용매는 메틸렌클로라이드(MC)이며, 40℃의 온도로 가열되어 용매 증기 조건이 조성되는 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제2항에 있어서,상기 b) 단계는 용매 증기압 0 ~ 69 kPa의 범위에서 수행되는 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제2항에 있어서,상기 b) 단계의 초음파처리는 용매 증기압 34 ~ 55 kPa에서 60 ~ 90초 동안 수행되는 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제2항에 있어서,상기 b) 단계의 초음파처리는 42 kHz의 주파수 조건으로 수행되는 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제2항에 있어서,상기 c) 단계 이후,d) 폴리사이오펜 박막을 열적 어닐링하여 기판과 폴리사이오펜 박막의 부착력을 증가시키는 단계;를 더 포함하는 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제12항에 있어서,상기 열적 어닐링은 100℃에서 30분 동안 수행되는 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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제2항에 있어서,상기 방법에 따라 자기조립된 폴리사이오펜 박막은 전계효과 트랜지스터(FETs)용 전도성 고분자 박막으로 사용되는 것인,폴리사이오펜 박막의 초음파처리-매개 자기조립 방법
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