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자기 소자;상기 자기 소자의 양단에 전기적으로 연결되어 쓰기 전류를 제공하는 쓰기 회로를 포함하되,상기 쓰기 회로는 쓰기 동작 시 제 1 시간동안 인가되는 제 1 피크를 가지는 제 1 전류와 상기 제 1 시간보다 긴 제 2 시간 동안 상기 제 1 피크보다 작은 제 2 피크를 가지는 제 2 전류를 상기 쓰기 전류로 제공하는 자기 메모리 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 자기 소자의 일단에 연결된 쓰기 라인, 소스 라인; 및상기 쓰기 라인과 상기 소스 라인을 선택적으로 연결하는 스위치를 더 포함하되,상기 쓰기 회로는 상기 쓰기 라인과 상기 소스 라인을 통하여 상기 쓰기 전류를 제공하는 자기 메모리 장치
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청구항 2에 있어서, 상기 쓰기 전류는 상기 자기 소자를 관통하는 자기 메모리 장치
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청구항 2에 있어서, 상기 자기 소자와 상기 쓰기 라인 사이에 스핀 홀 효과 물질층을 더 포함하되, 상기 쓰기 전류는 상기 자기 소자에 수평인 방향으로 흐르는 수평 전류와 상기 자기 소자를 관통하는 수직 전류를 포함하는 자기 메모리 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 자기 소자의 일단에 연결된 쓰기 라인, 소스 라인;상기 쓰기 라인과 상기 소스 라인을 선택적으로 연결하는 스위치;상기 자기 소자의 타단에 연결된 비트 라인; 및상기 쓰기 라인과 상기 자기 소자 사이에 개재된 스핀홀 효과 물질층을 더 포함하되,상기 쓰기 회로는 상기 쓰기 라인과 상기 소스 라인을 통하여 상기 쓰기 전류를 제공하는 자기 메모리 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 제 1 전류는 상기 제 1 시간 동안 펄스 형태의 파형을 가지는 자기 메모리 장치
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청구항 6에 있어서, 상기 펄스 형태는 사각파, 삼각파 또는 임펄스 형태인 자기 메모리 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 제 1 피크는 상기 제 2 피크의 2배 이상인 자기 메모리 장치
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청구항 8에 있어서, 상기 제 1 피크는 상기 제 2 피크의 2
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청구항 1에 있어서, 상기 제 1 시간은 400ps 이상인 자기 메모리 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 쓰기 회로는제 1 쓰기 회로 및 제 2 쓰기 회로를 포함하되,상기 제 1 쓰기 회로와 상기 제 2 쓰기 회로 중 어느 하나는 상기 쓰기 전류를 소싱하고 상기 제 1 쓰기 회로와 상기 제 2 쓰기 회로 중 다른 하나는 상기 쓰기 전류를 싱크하는 자기 메모리 장치
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청구항 11에 있어서, 상기 제 1 쓰기 회로는쓰기 동작 시 턴온되어 전류를 소싱하는 제 1 트랜지스터; 및쓰기 동작 시 펄스 신호가 활성화되는 동안 턴온되어 전류를 소싱하는 제 2 트랜지스터를 포함하되,상기 제 1 전류는 상기 제 1 트랜지스터와 상기 제 2 트랜지스터에 의해 제공되고, 상기 제 2 전류는 상기 제 2 트랜지스터에 의해 제공되는 자기 메모리 장치
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13
청구항 12에 있어서, 상기 제 1 쓰기 회로는상기 쓰기 동작 시 상기 제 1 트랜지스터와 상기 제 2 트랜지스터가 전류를 소싱하지 않는 경우 턴온되어 전류를 싱크하는 제 3 트랜지스터; 및상기 제 3 트랜지스터가 턴온되고 상기 펄스 신호가 활성화되는 동안 턴온되어 전류를 싱크하는 제 4 트랜지스터를 더 포함하는 자기 메모리 장치
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청구항 13에 있어서, 상기 제 1 쓰기 회로는 상기 쓰기 동작 시 상기 제 2 쓰기 회로와의 사이에서 전류를 전달하는 제 5 트랜지스터 및 상기 쓰기 동작 시 상기 펄스 신호가 활성화되는 동안 턴온되어 상기 제 2 쓰기 회로와의 사이에서 전류를 전달하는 제 6 트랜지스터를 더 포함하는 자기 메모리 장치
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자기 소자에 쓰기 전류를 제공하는 쓰기 회로를 포함하는 자기 메모리 장치에서상기 자기 소자에 제 1 시간동안 제 1 피크의 제 1 전류를 제공하는 단계; 및상기 자기 소자에 상기 제 1 시간보다 긴 제 2 시간 동안 상기 제 1 피크보다 작은 제 2 피크의 제 2 전류를 제공하는 단계를 포함하는 자기 메모리 장치의 동작 방법
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청구항 15에 있어서, 상기 제 1 전류는 상기 제 1 시간 동안 펄스 형태의 파형을 가지는 자기 메모리 장치의 동작 방법
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청구항 16에 있어서, 상기 펄스 형태는 사각파, 삼각파 또는 임펄스 형태인 자기 메모리 장치의 동작 방법
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청구항 15에 있어서, 상기 제 1 피크는 상기 제 2 피크의 2배 이상인 자기 메모리 장치의 동작 방법
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청구항 15에 있어서, 상기 제 1 시간은 400ps 이상인 자기 메모리 장치의 동작 방법
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