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밴드갭 보유 그래핀으로서,그래핀, 및상기 그래핀에 흡착된 리튬 이온을 포함하는 밴드갭 보유 그래핀
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제1항에 있어서, 상기 그래핀은 결정성 그래핀인 것인 밴드갭 보유 그래핀
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제2항에 있어서, 상기 결정성 그래핀은 실리콘 카바이드 기판 상에 형성되는 것인 밴드갭 보유 그래핀
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제1항에 있어서, 상기 리튬 이온은 5 eV ~ 10 eV의 에너지로 흡착되는 것인 밴드갭 보유 그래핀
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제1항에 있어서, 상기 리튬 이온은 기판에 대한 이온 빔 전류 밀도가 9 nA/cm2 ∼ 10 nA/cm2로 유지되는 환경 하에서 흡착되는 것인 밴드갭 보유 그래핀
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제1항에 있어서, 상기 리튬 이온은 7
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밴드갭 보유 그래핀 제조 방법으로서,그래핀을 제공하는 그래핀 제공 단계; 및상기 그래핀에 리튬 이온을 흡착시키는 리튬 이온 흡착 단계를 포함하는 밴드갭 보유 그래핀 제조 방법
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8
제7항에 있어서, 상기 그래핀 제공 단계는 결정성 그래핀을 형성하는 단계를 포함하는 것인 밴드갭 보유 그래핀 제조 방법
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9
제8항에 있어서, 상기 결정성 그래핀 형성 단계는 상기 그래핀이 형성되는 기판의 온도를 50℃ ~ 100℃씩 단계적으로 상승시키는 단계를 포함하는 것인 밴드갭 보유 그래핀 제조 방법
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10
제8항에 있어서, 상기 결정성 그래핀은 실리콘 카바이드 기판 상에 형성되는 것인 밴드갭 보유 그래핀 제조 방법
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11
제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 결정성 그래핀 형성 단계에서는 1,200℃ ∼ 1,250℃의 기판에서 그래핀을 성장시키는 것인 밴드갭 보유 그래핀 제조 방법
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12
제7항에 있어서, 상기 리튬 이온 흡착 단계는 상기 리튬 이온을 5 eV ~ 10 eV의 에너지로 흡착시켜 수행되는 것인 밴드갭 보유 그래핀 제조 방법
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13
제7항에 있어서, 상기 그래핀 제공 단계에서는 기판 상에 상기 그래핀을 형성하며,상기 리튬 이온 흡착 단계는 상기 기판에 대한 이온 빔 전류 밀도가 9 nA/cm2 ∼ 10 nA/cm2로 유지되는 환경 하에서 수행하는 것인 밴드갭 보유 그래핀 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 리튬 이온 흡착 단계는 상기 리튬 이온을 90K ∼ 100K에서 흡착시키는 것인 밴드갭 보유 그래핀 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 리튬 이온은 7
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제7항에 있어서, 상기 리튬 이온 흡착 단계는 리튬 이온을 0
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제7항에 있어서, 250℃ ∼ 300℃의 열처리에 의해 상기 밴드갭을 조절하는 단계를 더 포함하는 밴드갭 보유 그래핀 제조 방법
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제7항에 있어서, 리튬 이온에 의해 형성된 상기 밴드갭의 전체 크기를 측정하는 단계를 더 포함하는 밴드갭 보유 그래핀 제조 방법
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리튬 이온의 흡착량 확인 방법으로서,리튬 이온이 흡착된 그래핀을 제공하는 단계; 및상기 리튬 이온의 흡착량을 일함수 변화를 이용하여 흡착량을 산출하는 단계를 포함하는 리튬 이온의 흡착량 확인 방법
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제19항에 있어서,상기 흡착량 산출 단계는단위층(1 ML: 1 Monolayer) 단위의 흡착량에 대한 일함수 변화를 측정하는 단계; 및상기 일함수 변화를 흡착된 리튬 이온 함량으로 환산하는 단계를 포함하는 리튬 이온의 흡착량 확인 방법
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