맞춤기술찾기

이전대상기술

함침법에 의한 유기 전도체 제조방법 및 그에 따른 유기 전도체

  • 기술번호 : KST2018013115
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 함침법에 의한 유기 전도체 제조방법 및 그에 따른 유기 전도체에 관한 것으로서, 다공성 탄성체를 전도성 고분자용액에 함침시키는 단계 및 상기 함침된 다공성 탄성체를 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전도체 제조방법을 포함한다. 함침 횟수로 전기저항과 신축성을 조절함으로써, 적은 비용으로 용이하게 원하는 저항과 신축성을 가진 유기 전도체를 생산할 수 있고, 기존의 코팅법과는 다르게 흡착시킴으로써 안정된 전도체를 생산할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01B 13/30 (2006.01.01) H01B 13/00 (2006.01.01) H01B 3/30 (2006.01.01)
CPC H01B 13/30(2013.01) H01B 13/30(2013.01) H01B 13/30(2013.01) H01B 13/30(2013.01) H01B 13/30(2013.01)
출원번호/일자 1020170032342 (2017.03.15)
출원인 가천대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0105363 (2018.09.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.15)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 대한민국 경기도 성남시 수정구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 노진서 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이수찬 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 경기도 성남시 수정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0255624-73
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0326148-76
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0694026-44
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0694025-09
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0810209-38
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-1302173-33
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.12.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1302172-98
8 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0084712-42
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다공성 탄성체를 전도성 고분자용액에 함침시키는 단계; 및상기 함침된 다공성 탄성체를 건조시키는 단계; 를 포함하고상기 함침 단계에서 함침 횟수에 의해 전기저항과 신축성이 조절되는 것을 특징으로 하고, 상기 다공성 탄성체는 니트릴 부타디엔 고무(NBR)이고, 상기 전도성 고분자용액은 폴리아닐린(PANI)이며, 상기 폴리아닐린(PANI)의 중량 분율은 45 내지 62% 인 것을 특징으로 하는 유기 전도체 제조방법
2 2
다공성 탄성체를 전도성 고분자용액에 함침시키는 단계; 및상기 함침된 다공성 탄성체를 건조시키는 단계; 를 포함하고상기 함침 단계에서 함침 횟수에 의해 전기저항과 신축성이 조절되는 것을 특징으로 하고, 상기 다공성 탄성체는 폴리우레탄(PU)이고, 상기 전도성 고분자용액은 폴리아닐린(PANI)이며,상기 폴리아닐린(PANI)의 중량 분율은 45 내지 72% 인 것을 특징으로 하는 유기 전도체 제조방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 함침 횟수는 3회 내지 7회이고, 상기 함침은 PANI/TSA(P-toluenesulphonic acid monohydrate) 분말을 함유한 Dimethyl sulfoxide(DMSO)에 용액에 함침하는 것을 특징으로 하는 유기 전도체 제조방법
6 6
제2항에 있어서, 함침 횟수는 2회 내지 7회이고, 상기 함침은 PANI/TSA(P-toluenesulphonic acid monohydrate) 분말을 함유한 Dimethyl sulfoxide(DMSO)에 용액에 함침하는 것을 특징으로 하는 유기 전도체 제조방법
7 7
제1항 내지 제2항 중 어느 하나의 제조방법에 의해 제조된 유기 전도체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 가천대학교 이공학개인기초연구지원 다차원 나노구조 융합 복합재료를 이용한 신축성 투명 다중 가스센서 연구