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SPAD 변화에 덜 민감한 퀜칭 바이어스 회로 및 그것을 포함하는 단일 광자 검출기

  • 기술번호 : KST2018013154
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단일 광자 검출기에 사용되는 바이어스 회로에 관한 것으로, 수광소자, 패시브 ??칭 회로, 및 액티브 퀸칭, 리셋을 수행하도록 하는 바이어스 회로로 구성되어있다. 높은 전압소자를 이용하여 수광소자가 Geiger 상태에서 확실하게 동작하도록 하여 수광소자의 변이에 덜 민감하여 오차를 줄이고 단일 광자를 정확하게 감지할 수 있도록 바이어스 회로를 구현할 수 있다.
Int. CL G05F 3/20 (2006.01.01) G01J 1/44 (2006.01.01)
CPC G05F 3/205(2013.01) G05F 3/205(2013.01)
출원번호/일자 1020170035938 (2017.03.22)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0107528 (2018.10.02) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병황 대한민국 대전광역시 서구
2 정유진 대한민국 대전광역시 유성구
3 최명진 대한민국 대전광역시 유성구
4 강영일 대한민국 대전광역시 유성구
5 범진욱 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0282690-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0024229-49
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0105210-37
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0366944-83
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-0470993-72
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.06.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0569959-17
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0569960-64
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0694221-98
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.10.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1019140-76
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-1019141-11
12 등록결정서
Decision to grant
2018.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0740431-93
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번호 청구항
1 1
수광소자;상기 수광소자에서 역방향 전류가 흐름에 따라 패시브 ??칭을 유도하는 제 1 저항;상기 제 1 저항과 직렬 연결되고, 공급전압과 Ground 사이 전압에서 ??칭동작을 유도하는 제 2 저항;상기 공급전압과 제 1 NMOS의 Drain 사이에 위치하는 제 3 저항;상기 공급전압을 DC 성분을 차단하여 낮은 전압(VLOW)으로 바꾸는 DC 차단 커패시터; 및??칭동작을 수행하도록 하는 바이어스 ??칭 회로를 포함하되,상기 DC 차단 커패시터는,상기 제 1 저항의 상기 공급전압에서의 전압 변화량을 DC 전압을 차단시켜 낮은 전압(VLOW)에서의 전압 변화량으로 바꿔주고,상기 제 1 저항과 상기 제 2 저항을 통해 상기 공급전압과 Ground 사이 전압을 분배하고 상기 공급전압에서의 전압변화량을 상기 DC 차단 커패시터를 통해 낮은 전압(VLOW)에서의 전압변화량으로 바꿔 비교기를 통해 기준(Reference)전압과 비교하여 센싱노드의 전압이 기준전압보다 낮게 되면 능동(Active) ??칭동작 하는 것이며,상기 비교기에서 전압을 출력하여 D flip flop을 통해 전압 값을 저장하고 그 값을 통해 상기 제 1 NMOS의 Gate 전압을 안정되게 능동(Active)??칭을 동작시키고,상기 제 3 저항을 통해 상기 공급전압을 전압 분배하여 PMOS의 Gate에 안정적인 전압을 제공하면서 리셋 동작시키며,상기 D flip flop을 통해 출력된 전압 값은 제 2 NMOS의 Gate에 제공하고,상기 PMOS와 상기 제 2 NMOS는 직렬 연결되고, 상기 PMOS의 drain과 상기 제 2 NMOS의 drain 사이는 상기 수광소자와 상기 제 2 저항 사이에 연결되어 ??칭노드를 형성하고,상기 공급전압은, 상기 제 1 NMOS, 상기 제2 NMOS 및 상기 PMOS의 게이트에 인가되는 전원보다 큰 전원(VHIGH)인 바이어스 회로
2 2
제 1항에 있어서,상기 제 1 저항은,상기 공급전압 및 센싱노드 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 바이어스 회로
3 3
제 1항에 있어서,상기 제 1 저항은,상기 수광소자의 변이에 따라 전압 차가 발생하는 것을 특징으로 하는 바이어스 회로
4 4
제 1항에 있어서;상기 제 2 저항은,??칭동작을 통해 상기 공급전압과 Ground 사이 전압 변화를 유도하는 것을 특징으로 하는 바이어스 회로
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
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9 9
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10 10
삭제
11 11
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항의 바이어스 회로를 포함하는 단일 광자 검출기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.