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p형 실리콘 기판; 및갈바니 변위법(galvanic displacement)에 의해 상기 p형 실리콘 기판 상에 형성된 금(Au) 나노입자층;을 포함하며,상기 p형 실리콘 기판 표면에 대한 상기 금 나노입자층의 피복률(coverage)은 3
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제1항에 있어서,상기 금 나노입자층의 피복률이 3
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제2항에 있어서,상기 금 나노입자층의 피복률이 21
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제1항에 있어서,상기 금 나노입자층의 피복률이 3
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제4항에 있어서,상기 금 나노입자층의 피복률이 21
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제1항에 있어서,상기 금(Au) 나노입자층은, 금 전구체 화합물을 포함하는 산 수용액에 p형 실리콘 기판을 일정 시간 동안 침지시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 저온 센서용 금 나노입자-실리콘 복합소재
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제6항에 있어서,상기 금 전구체 화합물은 HAuCl4이고, 상기 산 수용액은 HF 수용액인 것을 특징으로 하는 저온 센서용 금 나노입자-실리콘 복합소재
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제1항의 금 나노입자-실리콘 복합소재를 포함해 이루어지는 볼로미터(bolometer)
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제1항의 금 나노입자-실리콘 복합소재를 포함해 이루어지는 극저온 센서(cryogenic sensor)
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