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리튬 전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2018013213
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 리튬 전지 제조 방법은 제1 집전체 상에 희생층을 형성하는 것; 상기 희생층을 패터닝하여, 상기 희생층 내에 제1 그루브를 형성하는 것; 상기 희생층의 상기 제1 그루브 내에 활물질 전구체들을 채우는 것; 상기 활물질 전구체들을 열처리하여, 제1 전극층을 형성하는 것; 및 상기 희생층을 제거하여, 상기 제1 전극층 내에 제2 그루브를 형성하는 것을 포함할 수 있다.
Int. CL H01M 10/04 (2015.01.01) H01M 10/056 (2010.01.01) H01M 4/139 (2010.01.01) H01M 4/04 (2006.01.01) C23C 18/12 (2006.01.01) C23C 14/06 (2006.01.01)
CPC H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01)
출원번호/일자 1020170109717 (2017.08.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0106807 (2018.10.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170033366   |   2017.03.16
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영기 대한민국 대전광역시 유성구
2 양일석 대한민국 대전광역시 유성구
3 김광만 대한민국 대전광역시 유성구
4 신동옥 대한민국 대전광역시 유성구
5 오지민 대한민국 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0838418-37
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번호 청구항
1 1
제1 집전체 상에 희생층을 형성하는 것; 상기 희생층을 패터닝하여, 상기 희생층 내에 제1 그루브를 형성하는 것; 상기 희생층의 상기 제1 그루브 내에 활물질 전구체들을 채우는 것; 상기 활물질 전구체들을 열처리하여, 제1 전극층을 형성하는 것; 및 상기 희생층을 제거하여, 상기 제1 전극층 내에 제2 그루브를 형성하는 것을 포함하는 리튬 전지 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 활물질 전구체들을 열처리하는 동안, 상기 희생층이 제거되는 리튬 전지 제조 방법
3 3
제2 항에 있어서, 상기 활물질 전구체들을 열처리하는 것은 상기 활물질 전구체들을 하소 및 소결시키는 것을 포함하는 리튬 전지 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 제1 전극층 상에 전해질을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 전해질은 상기 제2 그루브를 채우는 리튬 전지 제조 방법
5 5
제1 항에 있어서, 상기 제1 전극층 상에 전해질을 형성하여, 제1 반쪽 전지를 형성하는 것; 제2 집전체 상에 제2 전극층을 형성하는 것; 상기 제2 전극층 상에 제2 전해질을 형성하여, 제2 반쪽 전지를 제조하는 것; 및 상기 제2 반쪽 전지를 상기 제1 반쪽 전지 상에 배치하는 것을 더 포함하는 리튬 전지 제조 방법
6 6
제1 항에 있어서, 상기 희생층을 패터닝하는 것은 홀로그래픽 리소그래피 공정에 의해 수행되는 리튬 전지 제조 방법
7 7
제1 항에 있어서, 상기 제1 전극층은 도전재 및 바인더 중에서 적어도 하나를 포함하지 않는 리튬 전지 제조 방법
8 8
제1 항에 있어서, 상기 제2 그루브는:서로 이격된 포어들; 및상기 포어들 사이에 배치되고, 상기 포어들을 연결시키는 연결홀들을 포함하는 리튬 전지 제조 방법
9 9
제1 집전체; 상기 제1 집전체 상에 제공되고, 그 상면 상에 그루브를 갖는 제1 전극층; 및 상기 제1 전극층 상의 전해질을 포함하되, 상기 제1 전극층의 상기 그루브는: 서로 이격된 포어들; 및 상기 포어들을 서로 연결시키는 연결홀들을 갖고, 상기 전해질은 상기 전극층의 상기 포어들 및 상기 연결홀들을 채우는 리튬 전지
10 10
제9 항에 있어서, 상기 연결홀들의 최대 직경들은 상기 포어들의 최대 직경들보다 작은 리튬 전지
11 11
제9 항에 있어서, 상기 그루브는 상기 제1 접전체를 노출시키는 리튬 전지
12 12
제9 항에 있어서,상기 제1 전극층은 도전재 및 바인더 중에서 적어도 하나를 포함하지 않는 리튬 전지
13 13
제9 항에 있어서, 상기 전해질 상에 배치되는 제2 전극층; 및상기 제2 전극층 상의 제2 집전체를 더 포함하되, 상기 제1 전극층 및 상기 전해질의 접촉 면적은 상기 제2 전극층 및 상기 전해질의 접촉 면적보다 더 큰 리튬 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국전자통신연구원 ETRI연구개발지원사업 웨어러블 디바이스용 Form factor-free 다중입출력 전원모듈 기술 개발