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기판;상기 기판 상에 위치하는 제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하되, 유기물을 포함하는 제1 절연층;상기 제1 절연층 상에 위치하는 활성층;상기 활성층 상에 위치하되, 유기물을 포함하는 제2 절연층; 및상기 제2 절연층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고,상기 활성층은 인가 전압에 따라 저항 및 정전용량이 변화하는 것을 특징으로 하고,전압에 의해 저항 상태가 변조되고 전압을 제거해도 저항 상태를 유지하는 멤리스터 거동을 갖고,전압에 의해 정전용량이 변조되고 전압을 제거해도 정전용량 값을 유지하는 멤커패시터 거동을 갖고,상기 활성층은 그래핀, 금속산화물, 금속질화물, 금속황화물, 금속셀렌화물 또는 금속텔루르화물을 포함하는 멤리스터 및 멤커패시터 다기능 전자소자
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제1항에 있어서,상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 각각 독립적으로 PMMA 또는 PVA 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 멤리스터 및 멤커패시터 다기능 전자소자
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제1항에 있어서,상기 활성층은 초박막 구조인 것을 특징으로 하는 멤리스터 및 멤커패시터 다기능 전자소자
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제1항에 있어서,상기 그래핀은 단층 그래핀, 이층 그래핀, 다층 그래핀 또는 도핑된 그래핀을 포함하는 멤리스터 및 멤커패시터 다기능 전자소자
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제1항에 있어서,상기 금속산화물은 CaO, CdO, Co3O4, CoO2, CuO2, MoO3, WO3, Ga2O3, MnO2, ZnO, RuO2, TiO2, SnO2, Nb2O5, NiO, CrO2, Fe3O4, ZrO2, HfO2 또는 V2O5을 포함하는 것을 특징으로 하는 멤리스터 및 멤커패시터 다기능 전자소자
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제1항에 있어서,상기 금속질화물은 Ti2N, Ti3N2, Ti4N3, Zr2N, V2N 또는 Cr2N을 포함하는 것을 특징으로 하는 멤리스터 및 멤커패시터 다기능 전자소자
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제1항에 있어서,상기 금속황화물은 MoS2, MoS2, WS2, ReS2, NbS2, ZrS2, TiS2, HfS2 또는 VS2을 포함하는 것을 특징으로 하는 멤리스터 및 멤커패시터 다기능 전자소자
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제1항에 있어서,상기 금속셀렌화물은 MoSe2, WSe2, ReSe2, NbSe2, ZrSe2, TiSe2, HfSe2 또는 VSe2을 포함하는 것을 특징으로 하는 멤리스터 및 멤커패시터 다기능 전자소자
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제1항에 있어서,상기 금속텔루르화물은 MoTe2, WTe2, ReTe2, NbTe2, ZrTe2, TiTe2, HfTe2 또는 VTe2을 포함하는 것을 특징으로 하는 멤리스터 및 멤커패시터 다기능 전자소자
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제1 모재 상에 활성층 및 유기물을 포함하는 제2 절연층을 차례로 형성하는 단계;상기 제1 모재를 제거하는 단계;기판 상에 제1 전극 및 유기물을 포함하는 제1 절연층을 차례로 형성하는 단계;상기 제1 절연층 상에 상기 활성층이 위치하도록 상기 활성층 및 제2 절연층을 전사하는 단계; 및상기 제2 절연층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 활성층은 인가 전압에 따라 저항 및 정전용량이 변화하는 것을 특징으로 하고,전압에 의해 저항 상태가 변조되고 전압을 제거해도 저항 상태를 유지하는 멤리스터 거동을 갖고,전압에 의해 정전용량이 변조되고 전압을 제거해도 정전용량 값을 유지하는 멤커패시터 거동을 갖고,상기 활성층은 그래핀, 금속산화물, 금속질화물, 금속황화물, 금속셀렌화물 또는 금속텔루르화물을 포함하는 멤리스터 및 멤커패시터 다기능 전자소자 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 각각 독립적으로 PMMA 또는 PVA 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 멤리스터 및 멤커패시터 다기능 전자소자 제조방법
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제11항에 있어서,상기 활성층은 2차원 소재 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 멤리스터 및 멤커패시터 다기능 전자소자 제조방법
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제11항에 있어서,상기 활성층은 초박막 구조인 것을 특징으로 하는 멤리스터 및 멤커패시터 다기능 전자소자 제조방법
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