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게이트 누설 전류가 감소된 고 전자 이동도 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2018013349
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고 전자 이동도 트랜지스터에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 고 전자 이동도 트랜지스터는 제1 III-V족 반도체; 상기 제1 III-V족 반도체상 접하여 위치하는 제2 III-V족 반도체; 상기 제2 III-V족 반도체상 접하여 위치하는 게이트 절연체; 게이트 절연체 상 위치하는 게이트 전극; 및 상기 제2 III-V족 반도체상 위치하며 상기 게이트 절연체를 사이에 두고 서로 이격 대향하는 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하며, 상기 게이트 절연체는 p형 금속산화물, 인트린직(intrinsic) 금속산화물 및 n형 금속산화물이 순차적으로 적층된 p-i-n 구조의 적층체를 포함한다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01.01) H01L 29/51 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01)
출원번호/일자 1020170033563 (2017.03.17)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0106026 (2018.10.01) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.17)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장태훈 대한민국 서울특별시 서초구
2 조제희 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0264571-52
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.03.26 수리 (Accepted) 9-1-2018-0012371-27
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0340986-38
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0702020-15
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0811901-47
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0811913-95
8 등록결정서
Decision to grant
2018.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0882746-55
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 III-V족 반도체;상기 제1 III-V족 반도체상 접하여 위치하는 제2 III-V족 반도체;상기 제2 III-V족 반도체상 접하여 위치하는 게이트 절연체;게이트 절연체 상 위치하는 게이트 전극; 및상기 제2 III-V족 반도체상 위치하며, 상기 게이트 절연체를 사이에 두고 서로 이격 대향하는 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하며,상기 게이트 절연체는 p형 ZnO, 미도핑 진성 ZnO 및 n형 ZnO가 순차적으로 적층된 p-i-n 구조의 적층체를 포함하는 고 전자 이동도 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 p형 ZnO의 p형 도펀트는 Sb, P, As 및 N에서 하나 또는 둘 이상 선택되는 원소이며, 상기 n형 ZnO의 n형 도펀트는 Ga, Al 및 In에서 하나 또는 둘 이상 선택되는 원소인 고 전자 이동도 트랜지스터
5 5
제 1항에 있어서,상기 게이트 전극의 전극물질은 상기 n형 ZnO와 오믹 접촉(Ohmic contact)하는 금속인 고 전자 이동도 트랜지스터
6 6
제 1항에 있어서,상기 제1 III-V족 반도체 및 제2 III-V족 반도체는 각각 질화물 반도체인 고 전자 이동도 트랜지스터
7 7
제 1항에 있어서,상기 제1 III-V족 반도체는 GaN이며, 상기 제2 III-V족 반도체는 AlGaN인 고전자 이동도 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 전북대학교 산학협력단 산학협력 선도대학(LINC)육성사업 차세대 전력반도체 GaN을 이용한 고성능 온보드 전원장치 개발