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광원의 측부에 위치되어 상기 광원에서 출사된 광을 가이드하고 반사시키는 반사박막층(110); 상기 반사박막층(110)에 프린트되거나 또는 라미네이팅되어 형성되고, 공급된 전압에 의해 상기 반사박막층(110)을 팽창시켜 상기 광원에서 출사된 광의 배광각을 가변하는 전기활성 고분자층(120); 및 상기 전기활성 고분자층(120)에 전압을 공급하기 위하여, 상기 전기활성 고분자층(120)에 형성된 전극패턴(130);를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기활성 고분자를 이용한 배광각 가변 반사체 구조
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제1항에 있어서, 상기 반사박막층(110)의 두께는 10 ~ 100㎛인 것을 특징으로 하는 전기활성 고분자를 이용한 배광각 가변 반사체 구조
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제1항에 있어서, 상기 반사박막층(110)은 알루미늄, 은, 크롬, 니켈, 티타늄, 구리 및 이들의 합금 중 적어도 하나로 형성된 박형의 금속필름인 것을 특징으로 하는 전기활성 고분자를 이용한 배광각 가변 반사체 구조
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제1항에 있어서, 상기 전기활성 고분자층(120)의 두께는 10 ~ 100㎛인 것을 특징으로 하는 전기활성 고분자를 이용한 배광각 가변 반사체 구조
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제1항에 있어서, 상기 전기활성 고분자층(120)은 이온성 전기활성 고분자(ionic EAP) 또는 전자성 전기활성 고분자(electronic EAP)인 것을 특징으로 하는 전기활성 고분자를 이용한 배광각 가변 반사체 구조
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제1항에 있어서, 상기 전극패턴(130)의 두께는 1 ~ 30㎛인 것을 특징으로 하는 전기활성 고분자를 이용한 배광각 가변 반사체 구조
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제1항에 있어서, 상기 전극패턴은 Ag, Cu, Pt, Au, Al, Ni, Ti, W 및 TiN 등 중 선택된 어느 하나 또는 투명 전도성 산화물(Transparent conducting oxide, TCO)인 것을 특징으로 하는 전기활성 고분자를 이용한 배광각 가변 반사체 구조
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제1항에 있어서, 상기 반사박막층(110)의 두께 및 상기 전기활성 고분자층(120)의 두께는 동일하거나 또는 상기 반사박막층(110)의 두께가 상기 전기활성 고분자층(120)의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 전기활성 고분자를 이용한 배광각 가변 반사체 구조
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제1항에 있어서, 상기 전극패턴(130)의 면적은 상기 전기활성 고분자층(120)의 면적의 80 ~ 90%인 것을 특징으로 하는 전기활성 고분자를 이용한 배광각 가변 반사체 구조
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광원의 측부에 위치되어 상기 광원에서 출사된 광을 가이드하고 반사시키는 반사박막층; 및상기 반사박막층에 적층되고, 상기 반사박막층을 휘어지게하여 배광각을 가변시킬 수 있는 멀티 레이어(multi-layer) 변형구조;를 포함하며,상기 멀티 레이어 변형구조는,각각 10 ~ 100㎛ 두께를 가지는 다수의 전기활성 고분자층; 및상기 다수의 전기활성 고분자층 각각에 형성되고, 각각 1 ~ 30㎛ 두께를 가지는 전극패턴;을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기활성 고분자를 이용한 배광각 가변 반사체 구조
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제10항에 있어서, 상기 반사박막층의 두께는 10 ~ 100㎛인 것을 특징으로 하는 전기활성 고분자를 이용한 배광각 가변 반사체 구조
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반사박막필름 및 전기활성 고분자필름을 준비하는 단계;상기 반사박막필름 및 상기 전기활성 고분자필름을 라미네이팅하여 적층구조를 만드는 단계; 및 상기 적층구조의 상기 전기활성 고분자필름에 전극패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기활성 고분자를 이용한 배광각 가변 반사체 구조의 제조방법
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