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제 1전극;상기 제 1전극 상에 형성된 반도체 층;상기 반도체 층 내부에 형성된 중성자 전환 층; 및상기 반도체 층 상에 형성된 제 2전극을 포함하고,상기 제 1전극, 상기 반도체 층, 상기 중성자 전환 층 및 상기 제 2전극은 내열성 물질을 포함하는 것인, 고내열성 반도체 중성자 검출기
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제 1항에 있어서,상기 제 1전극 및 제 2전극은 금속, 전도성 고분자, 탄소 물질 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 고내열성 반도체 중성자 검출기
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제 2항에 있어서,상기 금속은 텅스텐, 금, 은, 구리, 철, 니켈, 알루미늄, 망간, 티타늄, 바나듐, 납, 크롬, 코발트 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하는 것인, 고내열성 반도체 중성자 검출기
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제 2항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜) (PEDOT), 폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 폴리스티렌 설포네이트 (PEDOT:PSS), 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리사이오펜, 폴리아닐린, 폴리페닐렌, 폴리페닐렌설파이드, 폴리풀러렌 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 고내열성 반도체 중성자 검출기
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제 2항에 있어서, 상기 탄소 물질은 그래파이트, 그래핀, 탄소나노튜브, 풀러렌 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 탄소 물질을 포함하는 것인, 고내열성 반도체 중성자 검출기
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제 1항에 있어서, 상기 반도체 층은 실리콘, 실리콘 카바이드, 게르마늄, 주석, 탄소, 산화물 반도체 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 고내열성 반도체 중성자 검출기
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