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기판 상에 위치하는 드레인 전극;상기 드레인 전극과 물리적으로 이격되어 위치하는 게이트 전극; 및상기 드레인 전극과 물리적으로 이격되어 위치하는 소스 전극;을 포함하고, 상기 드레인 전극의 표면에는 유기 아미노산 코팅층 및 CNT 층이 차례로 적층되며,상기 CNT 층은 누워있는 형태의 탄소나노튜브로 이루어지고,게이트 전극에 의해 소스 전극으로 가해지는 힘에 의해 상기 CNT 층이 압축되어 전기 저항이 변화되는 것을 특징으로 하는 접촉식 마이크로 소자
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제1항에 있어서, 상기 드레인 전극은, 레늄, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 이리듐, 백금 또는 금 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자
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제1항에 있어서, 상기 유기 아미노산은, 염기성 아미노산 고분자인 poly-L-라이신(lysine), poly-D-라이신(lysine) 또는 poly-E-라이신(lysine)인 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자
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제1항에 있어서, 상기 기판은, 실리콘, 산화규소(SiO2), 천(fabric), 유리(glass) 및 사파이어(Al2O3)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자
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제1항에 있어서, 상기 마이크로 소자는, MEMS 스위치, MEMS relay 혹은 에너지 하베스터인 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자
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접촉식 마이크로 소자를 제조하는 방법에 있어서,기판을 준비한 후, 물리적으로 이격되도록 드레인 전극과 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 드레인 전극의 표면에 유기 아미노산 코팅층을 형성하는 표면 개질 단계;상기 유기 아미노산 코팅층 위로 CNT 층을 형성하는 단계; 및도금 공정을 통해서, 상기 드레인 전극과 이격되는 소스 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 CNT 층은 누워있는 형태의 탄소나노튜브로 이루어진 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 드레인 전극과 게이트 전극은, 레늄, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 이리듐, 백금 또는 금 중에서 선택되는 어느 하나 이상인, 접촉식 마이크로 소자의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 유기 아미노산은, 염기성 아미노산인 poly-L-라이신(lysine), poly-D-라이신(lysine) 또는 poly-E-라이신(lysine)인 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 CNT 층을 형성하는 단계는, 탄소나노튜브 분산액을 사용하여 침적코팅(dip coating), 스핀코팅(spin coating) 또는 drop 코팅 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 표면 개질 단계는, O2 플라즈마를 사용한 전처리가 수행된 이후에 진행되는 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 기판은, 실리콘, 산화규소(SiO2), 천(fabric), 유리(glass) 및 사파이어(Al2O3)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자의 제조 방법
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제6항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법으로 제조된 접촉식 마이크로 소자에 있어서,상기 마이크로 소자는, MEMS 스위치, MEMS relay 혹은 에너지 하베스터인 것을 특징으로 하는, 접촉식 마이크로 소자
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