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서로 다른 유전 상수를 가지는 3개 이상의 강유전성 물질을 원자 단위로 적층시킨 단위 유전층을 반복 적층시킨, 초격자 구조를 가지는 유전체 소재
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제1항에 있어서, 상기 3개 이상의 강유전성 물질은 결정 구조가 같은, 초격자 구조를 가지는 유전체 소재
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제2항에 있어서, 상기 결정 구조는 페로브스카이트(perovskite) 구조인, 초격자 구조를 가지는 유전체 소재
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제3항에 있어서, 상기 3개 이상의 강유전성 물질 각각은 BaTiO3, SrTiO3, CaTiO3, KNbO3, KTaO3, PbTiO3, PbZrO3에서 선택된 어느 하나인, 초격자 구조를 가지는 유전체 소재
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제1항에 있어서, 상기 3개 이상의 강유전성 물질의 단위 격자가 적층된 횟수는 서로 다른, 초격자 구조를 가지는 유전체 소재
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제1항에 있어서, 상기 단위 유전층은 상하 반전 대칭성(inversion symmetry)을 가지지 않는, 초격자 구조를 가지는 유전체 소재
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7
제1항에 있어서, 상기 유전체 소재는 외부에서 제1전기장이 인가되었을 때 제1유전율을 가지고, 상기 제1전기장과 크기는 같고 방향이 다른 제2전기장이 인가되었을 때 제2유전율을 가지며, 상기 제1유전율과 상기 제2유전율은 다른 값을 가지는, 초격자 구조를 가지는 유전체 소재
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8
제7항에 있어서, 상기 제1유전율과 상기 제2유전율의 차이값과 상기 제1유전율의 비율은 5% 이상 300% 이하인, 초격자 구조를 가지는 유전체 소재
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9
기판; 및상기 기판 상에 배치되고, 서로 다른 유전 상수를 가지는 3개 이상의 강유전성 물질을 원자 단위로 적층시킨 단위 유전층을 반복 적층시킨 유전층;을 포함하는, 전자 소자
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10
제9항에 있어서, 상기 3개 이상의 강유전성 물질 및 상기 기판을 이루는 물질은 같은 결정 구조를 가지는, 전자 소자
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11
제9항에 있어서, 상기 기판을 이루는 물질과 상기 강유전성 물질의 격자 상수(lattice constant)의 비율은 96% 이상 104% 이하인, 전자 소자
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12
제9항에 있어서, 상기 기판은 상기 유전층에 인장력(tensile)을 가하는, 전자 소자
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제9항에 있어서, 상기 유전층은 외부에서 제1전기장이 인가되었을 때 제1유전율을 가지고, 상기 제1전기장과 크기는 같고 방향이 다른 제2전기장이 인가되었을 때 제2유전율을 가지며, 상기 제1유전율과 상기 제2유전율은 다른 값을 가지는, 전자 소자
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14
제13항에 있어서, 상기 제1유전율과 상기 제2유전율의 차이값과 상기 제1유전율의 비율은 5% 이상 300% 이하인, 전자 소자
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15
제9항에 있어서, 상기 유전층을 사이에 두는 상부 전극 및 하부 전극을 더 포함하는, 전자 소자
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제15항에 있어서, 상기 하부 전극은 LaNiO3(LNO), La(Sr,Co)O3(LSCO), La(Sr,Mn)O3(LSMO)에서 선택된 어느 하나를 포함하는, 전자 소자
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기판을 준비하는 단계; 및상기 기판 상에, 서로 다른 유전 상수를 가지는 3개 이상의 강유전성 물질을 원자 단위로 적층시킨 단위 유전층을 반복 적층시켜 유전층을 형성하는 단계;를 포함하는, 전자 소자의 제조 방법
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제17항에 있어서, 상기 유전층을 형성하는 단계는, 상기 강유전성 물질을 에피텍시 성장시키는 단계를 포함하는, 전자 소자의 제조 방법
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