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투명전극의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018013542
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 a) 패턴화된 홈이 구비된 투명기판의 상기 홈에 금속입자를 충진하는 단계; 및 b) 무전해도금을 통해 상기 금속입자가 충진된 홈의 빈 공간을 도금하는 단계;를 포함하는 투명전극의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01.01) H01B 13/30 (2006.01.01) C23C 18/54 (2006.01.01)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020170039327 (2017.03.28)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0109510 (2018.10.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 취하
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이수연 대한민국 대전광역시 유성구
2 최영민 대한민국 대전광역시 유성구
3 류병환 대한민국 대전광역시 서구
4 정선호 대한민국 대전광역시 유성구
5 정성묵 대한민국 대전광역시 유성구
6 김주영 대한민국 대전광역시 유성구
7 조예진 대한민국 경기도 안양시 동안구
8 채윤정 대한민국 서울시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.03.28 취하 (Withdrawal) 1-1-2017-0304613-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0334542-95
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0698538-02
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0698571-09
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0777073-06
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.01.10 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2019-0032511-73
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2019-0032526-57
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0386063-13
11 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2019.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0386062-78
12 [특허 등 절차 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Procedure such as Patent, etc.] Request for Withdrawal (Abandonment)
2019.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-0665547-85
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번호 청구항
1 1
a) 패턴화된 홈이 구비된 투명기판의 상기 홈에 금속입자를 충진하는 단계; 및 b) 무전해도금을 통해 상기 금속입자가 충진된 홈의 빈 공간을 도금하는 단계;를 포함하는 투명전극의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 금속입자는 플레이크(flake) 형상인, 투명전극의 제조방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 금속입자는 장축의 평균 길이가 0
4 4
제 1항에 있어서,상기 a) 단계는 상기 홈에 금속입자 및 분산매를 포함하는 금속입자 분산액을 충진하고, 상기 분산매를 제거하는 단계를 포함하는, 투명전극의 제조방법
5 5
제 4항에 있어서,상기 금속입자 : 분산매의 중량비는 1 : 1 내지 30인, 투명전극의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 무전해도금은 상기 홈에 금속입자가 충진된 투명기판을 20 내지 60℃의 도금 용액에 침지하여 20분 내지 6시간 동안 수행되는, 투명전극의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 패턴화된 홈은 격자무늬 패턴인, 투명전극의 제조방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 격자무늬 패턴의 선폭은 1 내지 20 ㎛이며, 간격은 0
9 9
제 1항에 있어서,상기 투명전극은 투과도가 90% 이상이며, 면저항이 1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국화학연구원 원천기술개발사업 (EZ)탈평면 나노전자소자를 위한 곡면인쇄용 원천소재 개발
2 기획예산처 한국화학연구원 정부출연 일반사업 3D Device Printing 기반 HMI용 One-patch 소자 기술 개발사업