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기판 상에 제 1 전극을 형성하는 것;상기 제 1 전극 상에 고분자 비드들을 도포하는 것;상기 제 1 전극 상에 형성되며, 상기 고분자 비드들 각각의 일부를 노출시키는 패시베이션 막을 형성하는 것;상기 고분자 비드들을 제거하여 상기 패시베이션 막 내에 개구부들을 형성하는 것; 및상기 패시베이션 막 상에 광 흡수층을 형성하는 것을 포함하는 박막 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 패시베이션 막은 상기 고분자 비드들의 직경들보다 작은 두께로 형성되는 박막 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 비드들은 10nm 내지 500μm의 직경들을 갖는 박막 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 패시베이션 막은 1nm 내지 1μm의 두께를 갖는 박막 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 비드들은 상기 패시베이션 막과 식각 선택성을 갖는 물질을 포함하는 박막 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 비드들은 폴리스티렌(polystyrene), PMMA(Poly(methyl methacrylate)), PVA(Poly(vinyl alcohol), 또는 폴리우레탄(Polyurethane)을 포함하는 박막 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 광 흡수층은 상기 개구부들을 채우는 박막 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 고분자 비드들 사이의 간격은 10nm 내지 1mm인 박막 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극 상에 고분자 비드들을 도포하는 것은:상기 고분자 비드들과 탈이온수를 혼합하여 혼합 용액을 형성하는 것;상기 혼합 용액을 상기 제 1 전극 상에 코팅하는 것; 및상기 탈이온수를 제거하는 것을 포함하는 박막 태양전지의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 혼합 용액은 스핀 코팅 방법을 사용하여 상기 제 1 전극 상에 코팅되는 박막 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 비드들은 불산(HF), 아세톤, 메탄올 또는 IPA(isopropyl alcohol)을 포함하는 식각용액을 사용하여 제거되는 박막 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 비드들은 플라즈마를 이용한 건식 식각 공정을 수행하여 제거되는 박막 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 광 흡수층을 형성한 후에,상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 것; 및상기 버퍼층 상에 제 2 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 박막 태양전지의 제조 방법
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