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알루미늄 판재를 제1양극 산화 처리하여 주형 모재를 형성하는 단계;상기 주형 모재를 제2양극 산화 처리하여 제1홀부를 형성하는 단계;상기 제1홀부가 형성된 주형 모재를 제3양극 산화 처리하여 상기 제1홀부 위치에 상기 제1홀부의 형상이 변형된 제2홀부를 형성하여 주형을 제조하는 단계;상기 제2홀부에 전사 매개물을 투입하는 단계;상기 전사 매개물에 기판을 접촉시켜 상기 전사 매개물을 상기 기판으로 전사하여 돌기부가 형성된 기판을 제조하는 단계; 및상기 돌기부 표면에 금속 나노입자를 코팅하는 단계를 포함하고,상기 제1홀부의 형상은 원기둥 형상을 포함하고,상기 제2홀부의 형상은 맥주병 형상(beer-bottle)이 뒤집힌 형상을 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 돌기부는 맥주병(beer-bottle) 형상을 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 돌기부는 제1볼록부; 및 상기 제1볼록부의 상부에 형성되되, 상기 제1볼록부보다 직경이 작은 제2볼록부를 포함하고, 상기 제1볼록부 및 상기 제2볼록부는 경사면부로 연결되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 SERS용 기판 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 주형 모재를 형성하는 단계는,상기 알루미늄 판재를 폴리싱하는 단계;상기 폴리싱된 알루미늄 판재를 애노다이징하는 단계; 및상기 애노다이징된 알루미늄 판재를 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SERS용 기판 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 폴리싱은 20 V 내지 30 V 공정 전압에서 3 분 내지 5 분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 SERS용 기판 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 애노다이징은 40 V 내지 50 V 공정 전압에서 4 시간 내지 5 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 SERS용 기판 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 에칭은 50 ℃ 내지 60 ℃ 공정 온도에서 12 시간 내지 16 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 SERS용 기판 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1홀부를 형성하는 단계는,상기 주형 모재를 애노다이징하는 단계; 및상기 애노다이징된 주형 모재를 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SERS용 기판 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 애노다이징은 40 V 내지 50 V 공정 전압에서 120 초 내지 140 초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 SERS용 기판 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 에칭은 40 ℃ 내지 50 ℃ 공정 온도에서 70 분 내지 80 분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 SERS용 기판 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 주형을 제조하는 단계는,상기 제1홀부가 형성된 주형 모재를 애노다이징하는 단계; 및상기 애노다이징된 제1홀부가 형성된 주형 모재를 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SERS용 기판 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 애노다이징은 40 V 내지 50 V 공정 전압에서 120 초 내지 140 초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 SERS용 기판 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 에칭은 40 ℃ 내지 50 ℃ 공정 온도에서 70 분 내지 80 분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 SERS용 기판 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 전사 매개물은 광경화성 수지 또는 열경화성 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 SERS용 기판 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 접촉은 상기 전사 매개물이 광경화 또는 열경화되면서 수행되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 SERS용 기판 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 금속 나노입자는 은(Ag), 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 백금(Pt)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 SERS용 기판 제조방법
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