맞춤기술찾기

이전대상기술

금속 나노 입자를 포함하는 광전기화학셀 전극 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2018013834
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 나노 입자를 포함하는 광전기화학셀 전극 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 광전기화학셀 전극의 제조 방법은 (a) 금속 전구체가 용해된 제1용액과 비스무스(Bi) 전구체와 바나듐(V) 전구체가 용해된 제2용액을 혼합하는 단계; (b) 혼합된 혼합물을 기판 상에 도포하는 단계; 및 (c) 도포된 결과물을 열처리하는 단계;를 포함하고, 상기 열처리에 의해, BiVO4 박막 내부에 평균 입경이 10nm 이하인 금속 나노 입자가 분포하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C25B 11/04 (2006.01.01) C25B 1/00 (2006.01.01) C23C 18/12 (2006.01.01)
CPC C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01) C25B 11/0478(2013.01)
출원번호/일자 1020170043015 (2017.04.03)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0112300 (2018.10.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.03)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이상한 대한민국 광주광역시 북구
2 정상윤 대한민국 광주광역시 북구
3 윤명한 대한민국 광주광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0324618-06
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0191185-22
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0487347-95
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0487346-49
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0571552-99
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0941877-09
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0941878-44
8 등록결정서
Decision to grant
2018.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0721401-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 금속 전구체가 용해된 제1용액과 비스무스(Bi) 전구체와 바나듐(V) 전구체가 용해된 제2용액을 가열하여 혼합하는 단계;(b) 혼합된 혼합물을 기판 상에 도포하는 단계; 및(c) 도포된 결과물을 열처리하는 단계;를 포함하고,상기 가열하여 혼합하는 과정에서 금속 전구체로부터 평균 입경이 10nm 이하인 금속 나노 입자가 형성되며,상기 (c) 단계의 열처리에 의해, BiVO4 박막 내부에 평균 입경이 10nm 이하인 금속 나노 입자가 균일하게 분포하는 것을 특징으로 하는 광전기화학셀 전극의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 금속 전구체가 용해된 제1용액과 비스무스(Bi) 전구체와 바나듐(V) 전구체가 용해된 제2용액을 가열하여 혼합하되, 금속 나노 입자가 형성되도록 100℃ 이하에서 가열하여 혼합하는 것을 특징으로 하는 광전기화학셀 전극의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
BiVO4 박막 내부에 평균 입경이 10nm 이하인 금속 나노 입자가 균일하게 분포하는 것을 특징으로 하는 광전기화학셀 전극
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.