| 1 |
1
소스기판 상에 상호 이격되도록 위치한 복수개의 기능층들을 준비하는 단계; 소스기판의 상면 중 복수개의 기능층들 외측의 부분과 복수개의 기능층들에 접촉하도록, 소스기판 상에 전사막을 위치시키는 단계;전사막 상에 상호 이격된 복수개의 구멍들을 갖는 지지틀을 부착하는 단계;전사막의 하면에 복수개의 기능층들이 밀착된 상태로, 전사막으로부터 소스기판을 제거하는 단계;전사막의 하면에 복수개의 기능층들이 밀착된 상태로 전사막을 타겟기판 상에 위치시키는 단계;전사막으로부터 지지틀을 분리하는 단계; 및타겟기판으로부터 전사막을 제거하는 단계;를 포함하는, 전자장치 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,지지틀은 온도에 따라 점착성이 가변하는, 전자장치 제조방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 지지틀을 분리하는 단계는, 온도를 높여 지지틀의 점착성을 낮춤으로써 전사막으로부터 지지틀을 분리하는 단계인, 전자장치 제조방법
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 지지틀을 분리하는 단계는, 온도를 150℃ 내지 180℃로 높여 지지틀의 점착성을 낮춤으로써 전사막으로부터 지지틀을 분리하는 단계인, 전자장치 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,지지틀은 자외선이 조사될 시 점착성이 낮아지며, 상기 지지틀을 분리하는 단계는, 지지틀에 자외선을 조사하여 지지틀의 점착성을 낮춤으로써 전사막으로부터 지지틀을 분리하는 단계인, 전자장치 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,지지틀은 전사막의 넓이보다 넓은, 전자장치 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,지지틀은 복수개의 기능층들에 대응하는 전사막의 부분보다 넓은 영역에 걸쳐 복수개의 구멍들을 갖는, 전자장치 제조방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,지지틀의 복수개의 구멍들은 균일하게 분포된, 전자장치 제조방법
|
| 9 |
9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,복수개의 기능층들은,튜브, 와이어 또는 막대 형태를 포함하는, 1차원 마이크로 소재층 또는 1차원 나노 소재층; 또는그래핀, 전이금속 칼코겐 화합물(transition metal dichalcogenide), 육각붕화질소 또는 흑린을 포함하는, 2차원 마이크로 소재층 또는 2차원 나노 소재층;을 포함하는, 전자장치 제조방법
|
| 10 |
10
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,전사막은 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethylsiloxane), 싸이토프(CYTOP), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA; polymethylmethacrylate), 에틸락테이트(ethyl lactate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리프로필렌카보네이트(PPC; poly propylene carbonate), 폴리이미드(PI; polyimide), 파라아라미드피브리드(para-aramid fibrid), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리염화비닐(PVC; polyvinyl chloride), 폴리비닐아세테이트(PVAc; poly(vinyl acetate)), 실리카겔(silica-gel) 또는 폴리우레탄아크릴레이트(PUA; polyurethane acrylate)를 포함하는, 전자장치 제조방법
|
| 11 |
11
소스기판 상에 상호 이격되도록 위치한 복수개의 기능층들을 준비하는 단계;소스기판의 상면 중 복수개의 기능층들 외측의 부분과 복수개의 기능층들에 접촉하도록, 소스기판 상에 전사막을 위치시키는 단계;전사막 상에 상호 이격된 복수개의 구멍들을 갖는 지지틀을 부착하는 단계;전사막의 하면에 복수개의 기능층들이 밀착된 상태로, 전사막으로부터 소스기판을 제거하는 단계;전사막의 하면에 복수개의 기능층들이 밀착된 상태로 전사막을 타겟기판 상에 위치시키는 단계; 및타겟기판으로부터 전사막을 분리시키거나 제거하여, 지지틀도 타겟기판으로부터 분리되도록 하는 단계;를 포함하는, 전자장치 제조방법
|
