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폴리(글리시딜 4'-(((3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-헵타데카플루오로데실)옥시)메틸)-비페닐-4-카복실레이트) 또는 폴리(글리시딜 4'-((퍼플루오로페녹시)메틸)-비페닐-4-카복실레이트)인, 강유전성 브러쉬 고분자 화합물
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기판, 기판 상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성된 활성층 및 상기 활성층 상에 형성된 제2 전극을 포함하며,상기 활성층은 제1항의 강유전성 브러쉬 고분자 화합물을 포함하는 것인, 비휘발성 강유전체 메모리 소자
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제7항에 있어서, 상기 제1 전극 또는 제2 전극은 독립적으로, 금, 은, 백금, 구리, 코발트, 니켈, 주석, 알루미늄, 인튬틴옥사이드, 티타늄 및 이들의 조합으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것인, 비휘발성 강유전체 메모리 소자
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제7항에 있어서, 상기 활성층은 다이오드를 통해 제1 전극 및 제2 전극과 연결되는 것인, 비휘발성 강유전체 메모리 소자
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제9항에 있어서, 상기 다이오드는 P-N 다이오드 또는 쇼트키 다이오드인, 비휘발성 강유전체 메모리 소자
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기판 상에 제1 전극을 형성한 후, 그 위에 제1항의 강유전성 브러쉬 고분자 화합물을 포함하는 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층과 접촉하도록 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 비휘발성 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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제11항에 있어서, 활성층은 제1항의 강유전성 브러쉬 고분자 화합물을 포함하는 용액을 제1 전극 상에 코팅하여 형성되는 것인, 비휘발성 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 코팅은 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 정전기 코팅, 딥코팅, 블레이트 코팅, 잉크젯 코팅 및 롤 코팅으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 어느 하나의 방법에 의해 수행되는 것인, 비휘발성 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
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