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지지체 및 상기 지지체 상에 형성된 금속 나노입자를 포함하는 복합체; 및상기 복합체 상에 형성되고, 열민감성 고분자 및 바인더를 포함하는 코팅층을 포함하고,상기 지지체는 금속을 담지할 수 있는 실리콘 산화물 나노 입자 또는 탄소나노튜브인 나노복합소재
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제 1 항에 있어서, 나노복합소재는 하기 일반식 1로 표시되는 금속의 용출량을 만족시키는 나노복합소재:[일반식 1]상기 식에서, e는 상기 나노복합소재 0
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 은, 금, 백금, 구리, 아연, 주석 및 납으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 나노복합소재
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제 1 항에 있어서, 상기 열민감성 고분자는 저임계 용액온도(LCST) 거동을 보이는 나노복합소재
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제 1 항에 있어서, 상기 열민감성 고분자는 폴리-N-이소프로필아크릴아미드, 폴리-N-비닐카프로락탐, 폴리메타크릴산, 하이드록시프로필셀룰로오스, 폴리비닐메틸에테르, 폴리(2-하이드로메타크릴산), 폴리(N-이소프로필아크릴아미드), 폴리(N,N-디에틸아크릴아미드), 폴리(N-디에틸메타크릴아미드), 폴리(메틸비닐에테르), 폴리(2-에톡시에틸비닐에테르), 폴리(N-비닐카프로락탐), 폴리(N-비닐이소부틸아민), 폴리(N-비닐-n-부틸아민) 및 폴리푸마르산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 나노복합소재
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제 1 항에 있어서, 상기 바인더는 5 내지 15 ㎛의 박막 두께를 가지는 필름을 500 내지 600 ㎚의 파장에서 측정한 광투과율이 70% 이상을 가지는 고분자를 포함하는 나노복합소재
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제 7 항에 있어서, 상기 고분자는 폴리디메틸실록산, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리메틸펜텐 또는 폴리락트산을 포함하는 나노복합소재
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제 1 항에 있어서, 상기 열민감성 고분자의 함량은 바인더 1 중량부에 대하여 1 내지 10 중량부인 나노복합소재
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10
기재 필름; 및상기 기재 필름 상에 형성되고, 나노복합소재를 가지는 항균층를 포함하고,상기 나노복합소재는 지지체 및 상기 지지체 상에 형성된 금속 나노입자를 포함하는 복합체, 및상기 복합체 상에 형성되며, 열민감성 고분자 및 바인더를 포함하는 코팅층을 포함하고,상기 지지체는 금속을 담지할 수 있는 실리콘 산화물 나노 입자 또는 탄소나노튜브인 항균 코팅 필름
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제 10 항에 있어서, 항균 코팅 필름은 하기 일반식 1의 조건을 만족시키는 항균 코팅 필름:[일반식 1]상기 식에서, e는 상기 나노복합소재 0
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제 10 항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 은, 금, 백금, 구리, 아연, 주석 및 납으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 항균 코팅 필름
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제 10 항에 있어서, 상기 열민감성 고분자는 저임계 용액온도(LCST) 거동을 보이는 항균 코팅 필름
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제 10 항에 있어서, 상기 바인더는 5 내지 15 ㎛의 박막 두께를 가지는 필름을 500 내지 600 ㎚의 파장에서 측정한 광투과율이 70% 이상을 가지는 고분자를 포함하는 항균 코팅 필름
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제 10 항에 있어서, 상기 열민감성 고분자의 함량은 바인더 1 중량부에 대하여 1 내지 10 중량부인 항균 코팅 필름
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소정 간격으로 이격 배치되어 간격을 형성하고 있는 한 쌍의 도전성 로드 및 상기 도전성 로드에 전압을 인가하는 전원부를 포함하고, 방전에 의해 상기 도전성 로드 사이의 간격에서 지지체를 형성하는 방전부; 및상기 방전부에서 형성된 지지체, 금속 이온을 포함하는 전구체 용액, 및 열민감성 고분자 및 바인더를 포함하는 고분자 용액이 혼합되는 반응조를 포함하고,상기 지지체는 금속을 담지할 수 있는 실리콘 산화물 나노 입자 또는 탄소나노튜브인, 제1항에 따른 나노 복합 소재를 제조하는 나노복합소재의 제조장치
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제 17 항에 있어서, 반응조는 분산 장치를 추가로 포함하는 나노복합소재의 제조장치
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제 18 항에 있어서, 분산 장치는 초음파 조사 장치인 나노복합소재의 제조장치
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