| 1 |
1
a) 표면이 전하를 갖는 고분자 입자를 제공하는 단계;b) 상기 고분자 입자를 고분자 기재 상에 단층으로 배열시키는 단계;c) 이와 별도로, 베이스 멤브레인 구조의 일 면에 바인더 층을 형성하는 단계; 및d) 상기 고분자 기재 상에 배열된 단층의 고분자 입자를 상기 베이스 멤브레인 구조 상에 형성된 바인더 층에 물리적 접촉을 통하여 전사함으로써 상기 바인더 층에 직접 접촉하면서 단층으로 배열된 고분자 입자의 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 고분자 입자의 표면은 이온화(또는 해리)에 의하여 음전하의 관능기를 갖고,상기 바인더 층은 0
|
| 2 |
2
a') 표면이 전하를 갖는 고분자 입자를 제공하는 단계;b') 상기 고분자 입자를 고분자 기재 상에 단층으로 배열시키는 단계;c') 이와 별도로, 상기 고분자 입자의 표면과 화학적으로 결합 가능하도록 일 면이 표면 개질된 베이스 멤브레인 구조를 제공하는 단계; 및d') 상기 고분자 기재 상에 배열된 단층의 고분자 입자를 상기 표면 개질된 베이스 멤브레인 구조와 반응시켜 상기 전하를 갖는 고분자 입자를 화학적 결합을 통하여 단층으로 코팅하는 단계;를 포함하며,여기서, 상기 고분자 입자의 표면은 이온화(또는 해리)에 의하여 음전하의 관능기를 갖고,상기 고분자 입자는 이의 표면에 존재하는 음전하의 관능기와 표면 개질된 베이스 멤브레인 구조의 개질된 표면 간의 화학적 반응에 의하여 바인더 층을 개재하지 않고 고분자 입자와 표면 개질된 베이스 멤브레인이 직접 결합하여 코팅되는 리튬-황 2차전지용 분리막의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 물리적 접촉은 스탬핑 방식에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 리튬-황 2차전지용 분리막의 제조방법
|
| 4 |
4
제2항에 있어서, 상기 화학적 결합은 고분자 입자의 표면에 존재하는 카르복시기 및 표면 개질된 베이스 멤브레인 구조 상의 히드록시기의 에스테르 반응에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 리튬-황 2차전지용 분리막의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고분자 입자는 단분산 고분자 입자인 것을 특징으로 하는 리튬-황 2차전지용 분리막의 제조방법
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 음전하의 관능기는 설폰산기, 카르복시기, 인산기 또는 이의 조합인 것을 특징으로 하는 리튬-황 2차전지용 분리막의 제조방법
|
| 8 |
8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고분자 입자는 폴리아크릴산 또는 이의 공중합체, 폴리메타크릴산 또는 이의 공중합체, 설폰화된 폴리스티렌 또는 이의 공중합체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 재질인 것을 특징으로 하는 리튬-황 2차전지용 분리막의 제조방법
|
| 9 |
9
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고분자 입자는 솔리드형, 중공형, 다공형, 다층형 또는 이의 조합인 것을 특징으로 하는 리튬-황 2차전지용 분리막의 제조방법
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 베이스 멤브레인 구조는 다공성 폴리올레핀 재질인 것을 특징으로 하는 리튬-황 2차전지용 분리막의 제조방법
|
| 12 |
12
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고분자 기재는 고무질 기재로서 폴리디메틸실록산(PDMS), SBS 고무, TPU, NBR, 하이드로겔, PUA, PVA, PI, PMMA, PVDF, SBR 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 리튬-황 2차전지용 분리막의 제조방법
|
| 13 |
13
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고분자 입자는 메타크릴산과 디에틸렌글리콜 메타크릴레이트의 공중합체이며, 중합 반응에서 사용되는 메타크릴산 : 디에틸렌글리콜 메타크릴레이트의 중량 비는 5 내지 9 : 1의 범위인 것을 특징으로 하는 리튬-황 2차전지용 분리막의 제조방법
|
| 14 |
14
제4항에 있어서, 상기 표면 개질된 베이스 멤브레인 구조는 하기 반응식 2 또는 반응식 3에 따라 표면에 히드록시기를 갖는 것을 특징으로 하는 리튬-황 2차전지용 분리막의 제조방법:[반응식 2][반응식 3]
|
| 15 |
15
베이스 멤브레인 구조; 상기 베이스 멤브레인 구조 상에 형성된 바인더 층; 및상기 바인더 층에 직접 접촉하면서 단층으로 배열되는, 표면이 전하를 갖는 고분자 입자의 코팅층;을 포함하며, 상기 고분자 입자 코팅층은 바인더 층에 의한 물리적 접촉을 통하여 상기 베이스 멤브레인 구조의 표면에 부착되며,상기 고분자 입자의 표면은 이온화(또는 해리)에 의하여 음전하의 관능기를 갖고,상기 바인더 층은 0
|
| 16 |
16
적어도 일 면이 반응성 관능기를 갖도록 표면 개질된 베이스 멤브레인 구조; 및상기 표면 개질된 베이스 멤브레인 구조 상에 단층으로 배열된 고분자 입자의 코팅층;을 포함하며,상기 고분자 입자의 표면은 이온화(또는 해리)에 의하여 음전하의 관능기를 갖고,상기 고분자 입자는 이의 표면에 존재하는 음전하의 관능기와 표면 개질된 베이스 멤브레인 구조의 개질된 표면 간의 화학적 반응에 의하여 바인더 층을 개재하지 않고 고분자 입자와 표면 개질된 베이스 멤브레인이 직접 결합하여 고분자 입자의 코팅층을 형성하는 리튬-황 2차전지용 분리막
|
| 17 |
17
제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 고분자 입자의 평균 사이즈는 200 nm 내지 6 ㎛인 것을 특징으로 하는 리튬-황 2차전지용 분리막
|
| 18 |
18
제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 베이스 멤브레인 구조 상의 고분자 입자의 코팅 량은 3 내지 5 g/m2 범위이고, 상기 고분자 입자가 갖는 전하의 세기는 32 내지 38 mV 범위인 것을 특징으로 하는 리튬-황 2차전지용 분리막
|
| 19 |
19
황-함유 양극;리튬-함유 음극; 상기 양극과 상기 음극 사이에 배치되는 제15항 또는 제16항에 따른 리튬-황 2차전지용 분리막; 및상기 양극과 상기 음극 사이에 충진된 액상 전해질;을 포함하며,상기 고분자 입자 코팅층이 상기 양극을 향하도록 배치되어 있는 리튬-황 2차 전지
|
| 20 |
20
제19항에 있어서, 상기 황-함유 양극은 원소 황, 황계 유기 화합물, 황계 무기 화합물, 황 함유 고분자 또는 이의 조합인 것을 특징으로 하는 리튬-황 2차 전지
|
