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대상 물질의 표면 및 개질 처리를 위한 플라즈마 토치

  • 기술번호 : KST2018013937
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요약 본 발명에 따른 대상 물질의 표면 및 개질 처리를 위한 플라즈마 토치는 전원공급부로부터 전원을 인가받아 마이크로웨이브를 생성하는 마이크로웨이브 발진기; 마이크로웨이브를 전송하는 도파관; 도파관을 수직관통하도록 배치되고, 내경이 `r`인 상부와 내경이 `R`인 하부로 구성되며, 플라즈마 발생 가스가 주입되면, 마이크로웨이브의 방전에 의해 플라즈마를 발생시키는 관형 플라즈마 발생부; 관형 플라즈마 발생부의 상부에 형성되어 플라즈마 발생가스를 주입하기 위한 제1 가스 주입부; 관형 플라즈마 발생부의 하부에 형성되어 플라즈마 발생가스를 주입하기 위한 제2 가스 주입부; 관형 플라즈마 발생부의 축방향과 평행하게 관형 플라즈마 발생부 상단에 형성되어 대상 물질을 주입하기 위한 대상 물질 주입부; 및 관형 플라즈마 발생부에서 발생되는 플라즈마와 대상 물질이 반응하여 표면처리 또는 개질처리되는 반응기;를 포함하여, 반경이 상이한 두 개의 와류를 발생시켜 주입되는 대상 물질을 플라즈마 반응기에서 오랫동안 체류시켜 반응시간을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H05H 1/34 (2006.01.01) B23K 10/00 (2006.01.01) H05H 1/46 (2006.01.01)
CPC H05H 1/34(2013.01) H05H 1/34(2013.01) H05H 1/34(2013.01)
출원번호/일자 1020170043937 (2017.04.04)
출원인 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자 10-2011353-0000 (2019.08.09)
공개번호/일자 10-2018-0112926 (2018.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20190816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.04)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 천세민 대한민국 전라북도 군산시
2 홍용철 대한민국 경기 고양시 일산동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장한특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, **층 (서초동, 서초지웰타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0331230-59
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2017-0334513-90
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0542439-68
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0994624-96
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.10.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0994643-53
6 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2019.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0114883-89
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.04.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0387867-36
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0387859-71
9 등록결정서
Decision to grant
2019.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0573482-72
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전원공급부로부터 전원을 인가받아 마이크로웨이브를 생성하는 마이크로웨이브 발진기;상기 마이크로웨이브를 전송하는 도파관(100);상기 도파관(100)을 수직관통하도록 배치되고, 내경이 `r`인 상부와 내경이 `R`인 하부로 구성되며, 플라즈마 발생 가스가 주입되면, 상기 마이크로웨이브의 방전에 의해 플라즈마를 발생시키는 관형 플라즈마 발생부(200);상기 관형 플라즈마 발생부(200)의 상부에 형성되어 플라즈마 발생가스를 주입하기 위한 제1 가스 주입부(300);상기 관형 플라즈마 발생부(200)의 하부에 형성되어 플라즈마 발생가스를 주입하기 위한 제2 가스 주입부(400);상기 관형 플라즈마 발생부(200)의 축방향과 평행하게 상기 관형 플라즈마 발생부(200) 상단에 형성되어 대상 물질을 주입하기 위한 대상 물질 주입부(500); 및상기 관형 플라즈마 발생부(200)에서 발생되는 플라즈마와 상기 대상 물질이 반응하여 표면처리 또는 개질처리되는 반응기(600);를 포함하고, 상기 내경이 `R`인 하부가 위치한 상기 관형 플라즈마 발생부(200)의 내주면에 대해 접선방향으로 형성되어 상기 제2 가스 주입부(400)로 주입된 플라즈마 발생가스를 분사시켜 외측스월을 발생시키는 제2 분사노즐(410);를 더 포함하되,상기 제2 분사노즐(410)은 상기 외측스월이 상방으로 이동하도록 소정각도만큼 상방으로 기울어지게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 대상 물질의 표면 및 개질 처리를 위한 플라즈마 토치
2 2
제 1항에 있어서, 상기 관형 플라즈마 발생부(200)는 상기 상부와 하부가 인접하는 부분의 내주면에 단차부(210)가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 대상 물질의 표면 및 개질 처리를 위한 플라즈마 토치
3 3
제 2항에 있어서, 상기 단차부(210)는 직각구조 또는 1°내지 89°범위의 각을 가져 완만한 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 대상 물질의 표면 및 개질 처리를 위한 플라즈마 토치
4 4
제 2항에 있어서, 상기 내경이 `r`인 상부가 위치한 상기 관형 플라즈마 발생부(200)의 내주면에 대해 접선방향으로 형성되어 상기 제1 가스 주입부(300)로 주입된 플라즈마 발생가스를 분사시켜 내측스월을 발생시키는 제1 분사노즐(310);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대상 물질의 표면 및 개질 처리를 위한 플라즈마 토치
5 5
제 4항에 있어서, 상기 제1 분사노즐(310)은 상기 내측스월이 하방으로 이동하도록 소정각도만큼 하방으로 기울어지게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 대상 물질의 표면 및 개질 처리를 위한 플라즈마 토치
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 4항에 있어서, 상기 외측스월은 상방으로 이동하여 상기 단차부(210)에 충돌 후, 상기 내측스월에 합류되는 것을 특징으로 하는 대상 물질의 표면 및 개질 처리를 위한 플라즈마 토치
9 9
제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생가스는 상기 대상 물질 주입부(500)를 통해 스트레이트 형태로 주입될 수 있는 것을 특징으로 하는 대상 물질의 표면 및 개질 처리를 위한 플라즈마 토치
10 10
제 1항 내지 제 5항, 및 제 8항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부의 내경 `r`은 상기 하부의 내경 `R`보다 작은 것을 특징으로 하는 대상 물질의 표면 및 개질 처리를 위한 플라즈마 토치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.