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CdS를 포함하는 제1 코어, CdSe를 포함하는 제2 코어 및 CdS를 포함하는 쉘을 포함하는 CdS/CdSe/CdS 양자점을 준비하는 단계;상기 CdS/CdSe/CdS 양자점을 Cu 전구체를 포함하는 용액에 투입하여, Cu2S/Cu2Se/Cu2S 양자점을 형성하는 단계; 그리고상기 Cu2S/Cu2Se/Cu2S 양자점을 Zn 전구체를 포함하는 용액에 투입하여, ZnS/ZnSe/ZnS 양자점을 형성하는 단계를 포함하는 양자점의 제조 방법
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제1항에서,상기 ZnS/ZnSe/ZnS 양자점은 ZnS/ZnSe 코어 및 ZnS 쉘을 포함하고, 상기 ZnS 쉘의 두께는 0
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제1항에서,상기 ZnS/ZnSe/ZnS 양자점의 ZnS를 포함하는 제1 코어의 지름은 0
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제1항에서,상기 Cu2S/Cu2Se/Cu2S 양자점을 형성하는 단계는 상온에서 1초 내지 10초동안 수행되는 양자점의 제조 방법
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제1항에서,상기 Cu 전구체를 포함하는 용액은, 유기 용매에 분산된 Cu 이온을 포함하는 양자점의 제조 방법
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제5항에서상기 Cu 전구체를 포함하는 용액은, 메탄올에 분산된 [Cu(CH3CN)4]PF6-를 포함하는 양자점의 제조 방법
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제1항에서,상기 ZnS/ZnSe/ZnS 양자점을 형성하는 단계는 섭씨 220도 내지 270도의 온도에서 4분 내지 6분 동안 이루어지는 양자점의 제조 방법
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제1항에서,상기 Zn 전구체 용액은, 유기 용매에 분산된 Zn이온을 포함하는 양자점의 제조 방법
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제8항에서,상기 Zn 전구체 용액은, 올레일아민 및 1-옥타데센에 분산된 ZnCl2을 포함하는 양자점의 제조 방법
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CdSe를 포함하는 코어 및 CdS를 포함하는 쉘을 포함하는 CdSe/CdS 양자점을 준비하는 단계;상기 CdSe/CdS 양자점을 Cu 전구체를 포함하는 용액에 투입하여, Cu2Se/Cu2S 양자점을 형성하는 단계; 그리고상기 Cu2Se/Cu2S 양자점을 Zn 전구체를 포함하는 용액에 투입하여, ZnSe/ZnS 양자점을 형성하는 단계를 포함하는 양자점의 제조 방법
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제10항에서,상기 ZnSe/ZnS 양자점은 ZnSe 코어 및 ZnS 쉘을 포함하고, 상기 ZnS 쉘의 두께는 0
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제10항에서,상기 ZnSe/ZnS 양자점의 ZnSe를 포함하는 코어의 지름은 2
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제10항에서,상기 Cu2Se/Cu2S 양자점을 형성하는 단계는 상온에서 1초 내지 10초동안 이루어지는 양자점의 제조 방법
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제10항에서,상기 Cu 전구체를 포함하는 용액은 유기 용매에 분산된 Cu 이온을 포함하는 양자점의 제조 방법
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제14항에서,상기 Cu 전구체를 포함하는 용액은 메탄올에 분산된 [Cu(CH3CN)4]PF6- 를 포함하는 양자점의 제조 방법
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제10항에서,상기 ZnSe/ZnS 양자점을 형성하는 단계는 섭씨 220도 내지 270도의 온도에서 4분 내지 6분 동안 이루어지는 양자점의 제조 방법
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제10항에서,상기 Zn 전구체 용액은 유기 용매에 분산된 Zn 이온을 포함하는 양자점의 제조 방법
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제17항에서,상기 Zn 전구체 용액은 올레일아민 및 1-옥타데센에 분산된 ZnCl2을 포함하는 양자점의 제조 방법
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