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이온농도분극 현상을 이용하여 유체를 정수하는 정수 장치로서,정수 대상 물질을 주입하는 입구를 일단에 구비한 주입 채널;상기 주입 채널의 타단에서 메쉬부를 개재하여 분기되는, 정수된 물질이 배출되는 정수 채널과 나머지 상기 정수 대상 물질이 배출되는 배출 채널;상기 메쉬부의 적어도 일측에 접하는 이온 선택성 멤브레인; 및상기 메쉬부가 접하는 상기 이온 선택성 멤브레인의 타측에 배치되는 버퍼부를 포함하고,상기 메쉬부는 표면 상에 이온 선택성 코팅층이 형성되며,전기장이 인가되면, 상기 주입 채널의 타단 및 상기 메쉬부의 인접한 부위에 이온농도분극(ICP; Ion Concentration Polarization) 현상이 발생함으로써 이온공핍영역(ion depletion zone)이 형성되고,상기 주입 채널, 상기 정수 채널 및 상기 배출 채널의 직경은 ㎛ 스케일보다 큰 mm 스케일 내지 cm 스케일의 매크로 채널이며,상기 메쉬부는 상기 유체의 이동 방향에 수직하지 않도록 소정의 각도를 이루며, 상기 정수 채널 및 상기 배출 채널 사이에 배치되는, 정수 장치
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이온농도분극 현상을 이용하여 유체를 정수하는 정수 장치로서,정수 대상 물질을 주입하는 입구를 일단에 구비한 주입 채널;상기 주입 채널의 타단에서 메쉬부를 개재하여 분기되는, 정수된 물질이 배출되는 정수 채널과 나머지 상기 정수 대상 물질이 배출되는 배출 채널;상기 메쉬부의 양측에 각각 접하는 한 쌍의 이온 선택성 멤브레인; 및상기 메쉬부가 접하는 상기 이온 선택성 멤브레인의 타측에 각각 배치되는 한 쌍의 버퍼부를 포함하고,상기 메쉬부는 표면 상에 이온 선택성 코팅층이 형성되며,전기장이 인가되면, 상기 주입 채널의 타단 및 상기 메쉬부의 인접한 부위에 이온농도분극(ICP; Ion Concentration Polarization) 현상이 발생함으로써 이온공핍영역(ion depletion zone)이 형성되고,상기 주입 채널, 상기 정수 채널 및 상기 배출 채널의 직경은 ㎛ 스케일보다 큰 mm 스케일 내지 cm 스케일의 매크로 채널이며,상기 메쉬부는 상기 유체의 이동 방향에 수직하지 않도록 소정의 각도를 이루며, 상기 정수 채널 및 상기 배출 채널 사이에 배치되는, 정수 장치
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이온농도분극 현상을 이용하여 유체를 정수하는 정수 장치로서,정수 대상 물질을 주입하는 입구를 일단에 구비한 주입 채널; 및상기 주입 채널의 타단에서 메쉬부를 개재하여 분기되는, 정수된 물질이 배출되는 정수 채널과 나머지 상기 정수 대상 물질이 배출되는 배출 채널을 포함하고,상기 메쉬부는 표면 상에 이온 선택성 코팅층이 형성되며,전기장이 인가되면, 상기 주입 채널의 타단 및 상기 메쉬부의 인접한 부위에 이온농도분극(ICP; Ion Concentration Polarization) 현상이 발생함으로써 이온공핍영역(ion depletion zone)이 형성되고,상기 주입 채널, 상기 정수 채널 및 상기 배출 채널의 직경은 ㎛ 스케일보다 큰 mm 스케일 내지 cm 스케일의 매크로 채널이며,상기 메쉬부는 상기 유체의 이동 방향에 수직하지 않도록 소정의 각도를 이루며, 상기 정수 채널 및 상기 배출 채널 사이에 배치되는, 정수 장치
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 메쉬부는 제1 방향, 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향 및 상기 제1 방향과 상기 제2 방향이 형성하는 면에 수직하거나 기울어진 제3 방향을 따라 복수의 격자가 형성된 형태인, 정수 장치
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제4항에 있어서,상기 메쉬부의 상기 제1 방향과 상기 제2 방향으로 형성된 격자의 통공을 통해 상기 정수된 물질이 통과하여 상기 정수 채널로 흐르고,상기 격자의 통공을 통과하지 못한 상기 정수 대상 물질은 상기 배출 채널로 흐르는, 정수 장치
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제4항에 있어서,상기 제3 방향으로의 격자 사이즈는 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로의 격자 사이즈보다 작은, 정수 장치
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제6항에 있어서,상기 메쉬부의 표면 상에 형성된 상기 이온 선택성 코팅층의 두께는 상기 제3 방향으로의 격자 사이즈와 동일하거나 큰, 정수 장치
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제6항에 있어서,상기 정수 대상 물질의 이온이 상기 메쉬부의 상기 이온 선택성 코팅층을 따라 이동하여 이온농도분극(ICP; Ion Concentration Polarization) 현상이 발생하는, 정수 장치
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,복수개의 상기 메쉬부가 상호 대향하도록 배치되는, 정수 장치
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 이온 선택성 멤브레인 및 상기 이온 선택성 코팅층은 나피온(Nafion) 재질인, 정수 장치
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제1항 또는 제2항의 정수 장치를 복수개 포함하는 정수 시스템으로서,이웃하는 상기 정수 장치는 상기 버퍼부를 공유하는, 정수 시스템
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 정수 장치를 복수개 포함하는 정수 시스템으로서,복수개의 상기 정수 장치가 병렬 배치되고,각각의 상기 주입 채널의 일단이 하나의 채널로 통합되어 상기 정수 대상 물질을 주입받고,각각의 상기 정수 채널의 일단이 하나의 채널로 통합되어 상기 정수된 물질이 배출되는, 정수 시스템
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