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나노 고분자 방사선 보호재 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018013972
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 다이아몬드 분말을 고분자 매트릭스 합성물에 고밀도로 분산한 후, 고분자 매트릭스 합성물을 층상 실리케이트의 층 사이로 분산하여 제작한 나노 고분자 방사선 보호재 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 나노 고분자 방사선 보호재는, 나노 다이아몬드; 고분자 매트릭스 합성물; 및 층상 실리케이트; 를 포함하며, 상기 나노 다이아몬드는 상기 고분자 매트릭스 합성물에 균일하게 분산 도포되며, 상기 나노 다이아몬드가 분산 도포된 상기 고분자 매트릭스 합성물은, 상기 층상 실리케이트의 적층된 상기 층 사이로 분산되어 다층 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 것이며, 나노 고분자 방사선 보호재 제조방법은, 나노 다이아몬드를 마련하는 단계; 상기 나노 다이아몬드를 고분자 매트릭스 합성물 내부로 분산 도포하는 단계; 및 상기 나노 다이아몬드가 분산 도포된 상기 고분자 매트릭스 합성물을, 층상 실리케이트의 상기 층 사이로 분산하여 다층 구조를 이루는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 것이다.
Int. CL G21F 1/10 (2006.01.01) C08K 3/04 (2006.01.01) C08K 3/34 (2006.01.01) C08L 71/00 (2006.01.01)
CPC G21F 1/10(2013.01) G21F 1/10(2013.01) G21F 1/10(2013.01) G21F 1/10(2013.01)
출원번호/일자 1020170045306 (2017.04.07)
출원인 서울대학교병원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0113782 (2018.10.17) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교병원 대한민국 서울특별시 종로구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정현훈 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교병원 서울특별시 종로구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0342756-10
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0340856-12
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2018-0666318-70
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.07.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0666319-15
5 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2018.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0142002-27
6 등록결정서
Decision to grant		 2018.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0876446-77
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164229-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
방사선을 차단할 수 있는 방사선 보호재에 있어서, 복수 개의 카르복실 그룹을 포함하여 이루어진 나노 다이아몬드; 고분자 중합체를 포함하여 이루어진 고분자 매트릭스 합성물; 및층이 적층된 구조를 지니고 있는 층상 실리케이트; 를 포함하며, 상기 나노 다이아몬드 및 상기 고분자 매트릭스 합성물은 매크로머로 폴리머 반응된 이후에, 상기 나노 다이아몬드는 상기 고분자 매트릭스 합성물에 균일하게 분산 도포되며, 상기 나노 다이아몬드가 분산 도포된 상기 고분자 매트릭스 합성물은, 상기 층상 실리케이트의 적층된 상기 층 사이로 분산되어 다층 구조를 이루며,복수 개의 상기 카르복실 그룹 중 일부는 아민 그룹으로 치환되는 것을 특징으로 하는 나노 고분자 방사선 보호재
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스 합성물은 Polyether ether ketone(PEEK)인 것을 특징으로 하는 나노 고분자 방사선 보호재
4 4
제1항에 있어서, 상기 나노 고분자 방사선 보호재는, 시트 형상으로 제작되는 것을 특징으로 하는 나노 고분자 방사선 보호재
5 5
방사선을 차단할 수 있는 방사선 보호재 제조방법에 있어서, 복수 개의 카르복실 그룹을 포함하여 이루어진 나노 다이아몬드를 마련하는 단계; 상기 나노 다이아몬드를 고분자 중합체로 이루어진 고분자 매트릭스 합성물 내부로 분산 도포하는 단계; 및상기 나노 다이아몬드가 분산 도포된 상기 고분자 매트릭스 합성물을, 층이 적층된 구조를 지니고 있는 층상 실리케이트의 상기 층 사이로 분산하여 다층 구조를 이루는 단계;를 포함하여 이루어지며,상기 나노 다이아몬드를 마련하는 단계는, 복수 개의 상기 카르복실 그룹 중 일부를 아민 그룹으로 치환하는 단계를 더 포함하며,상기 나노 다이아몬드를 상기 고분자 매트릭스 합성물 내부로 분산 도포하는 단계 이전에, 상기 나노 다이아몬드 및 상기 고분자 매트릭스 합성물을 매크로머로 폴리머 반응시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 고분자 방사선 보호재 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제5항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스 합성물은 Polyether ether ketone(PEEK)인 것을 특징으로 하는 나노 고분자 방사선 보호재 제조방법
9 9
제5항에 있어서, 상기 나노 고분자 방사선 보호재는 시트 형상으로 제작되는 것을 특징으로 하는 나노 고분자 방사선 보호재 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.