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베이스 기판 상에 마스크 입자를 이용하여 마스킹 영역 및 비마스킹 영역을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계(S10);상기 마스크 패턴이 형성된 베이스 기판의 상기 비마스킹 영역에 금속 입자를 선택적으로 부착시켜 금속 패턴을 형성하는 단계(S30);를 포함하는 도전입자의 미세 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 마스크 입자는 평균입경이 10nm 내지 2μm인 도전입자의 미세 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 마스크 입자는 고분자, 무기물, 금속, 자성체, 반도체 및 생체 물질로 구성되는 군에서 선택되는 물질의 입자인 도전입자의 미세 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 베이스 기판은 폴리메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리에틸렌(polyethylene, PE) 및 폴리비닐클로라이드(polyvinylchloride, PVC)로 구성되는 군에서 선택되는 재질의 밀착성 고분자 기판인 도전입자의 미세 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 마스크 패턴을 형성하는 단계(S10)는,상기 베이스 기판 상에 상기 마스크 입자를 코팅하여 코팅막을 형성하는 단계(S101);불투과성 영역을 포함하는 마스크를 통해 상기 베이스 기판에 빛 또는 활성기체를 조사하는 단계(S102); 및입자 제거부재를 이용해 상기 베이스 기판으로부터 상기 빛 또는 활성기체가 조사된 노광부 또는 조사되지 않은 비노광부의 코팅막을 형성하는 상기 마스크 입자를 선택적으로 제거하는 단계(S103);를 포함하여,상기 마스크 입자가 제거되지 않은 마스킹 영역, 및 상기 마스크 입자가 제거된 비마스킹 영역을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계인 도전입자의 미세 패터닝 방법
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제5항에 있어서,상기 코팅막을 형성하는 단계(S101)는 상기 마스크 입자를 상기 베이스 기판 상에 문질러서 압력을 가하여 상기 마스크 입자가 단층으로 코팅되어 코팅막을 형성하는 단계인 도전입자의 미세 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 패턴을 형성하는 단계(S20)는 상기 마스크 패턴이 형성된 베이스 기판 상에 금속 입자를 도포하고 문질러서 상기 금속 입자를 선택적으로 부착시켜 금속 패턴을 형성하는 단계인 도전입자의 미세 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 입자는 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd)으로 구성되는 군에서 선택되는 금속의 입자인 도전입자의 미세 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 입자는 평균직경이 20 내지 40nm 인 도전입자의 미세 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 부착된 금속 입자 전체 중량에 대한 상기 비마스킹 영역에 부착된 금속 입자의 중량은 90% 이상인 도전입자의 미세 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 마스크 패턴을 형성하는 단계(S10) 이후, 상기 금속 패턴을 형성하는 단계(S30) 이전에,상기 마스크 패턴이 형성된 베이스 기판의 일 영역을 선택적으로 UV 노광 처리하는 단계(S20);를 더 포함하는 도전입자의 미세 패터닝 방법
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제11항에 있어서,상기 UV 노광 처리하는 단계(S20)는 상기 베이스 기판 중 마스크 패턴이 형성된 영역만을 선택적으로 UV 노광 처리하는 단계인 도전입자의 미세 패터닝 방법
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제12항에 있어서,상기 부착된 금속 입자 전체 중량에 대한 상기 비마스킹 영역에 부착된 금속 입자의 중량은 95% 이상인 도전입자의 미세 패터닝 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 패턴을 형성하는 단계(S30) 이후에,상기 금속 패턴을 형성하는 상기 금속 입자를 환원하는 단계(S40)를 더 포함하는 도전입자의 미세 패터닝 방법
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제14항에 있어서,상기 금속 입자를 환원하는 단계(S40)는 상기 금속 패턴이 형성된 기판을 알코올을 포함하는 증기 하에서 반응시키는 단계인 도전입자의 미세 패터닝 방법
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제14항에 있어서,상기 금속 입자를 환원하는 단계(S40)는 상기 금속 패턴이 형성된 기판을 알코올 용액과 함께 열처리하여 알코올을 포함하는 증기 하에서 반응시키는 단계인 도전입자의 미세 패터닝 방법
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