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중앙 처리 장치, 상기 중앙 처리 장치에 제 1 인터페이스로 연결된 DRAM(dynamic random access memory), 상기 중앙 처리 장치에 제 2 인터페이스로 연결된 비휘발성 메모리를 포함하는 하이브리드 메인 메모리 시스템의 상기 비휘발성 메모리의 데이터 관리 방법에 있어서:비휘발성 메모리 관리 장치가, 상기 중앙 처리 장치로부터 비휘발성 메모리의 제1 주소의 캐시 데이터(Cache Data)에 대한 무효화 요청(invalidation request)을 제공 받는 단계;상기 비휘발성 메모리 관리 장치가, 제1 데이터를 생성하는 단계; 및상기 비휘발성 메모리 관리 장치가, 상기 무효화 요청에 대한 응답으로, 상기 캐시 데이터를 상기 제1 데이터로 덮어쓰는(Overwrite) 단계를 포함하는 방법
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제1항에 있어서,상기 비휘발성 메모리는,overwritable 메모리이고,상기 제1 데이터를 생성하는 단계는,난수 발생기에 의해 생성한 난수에 기초하여 상기 제1 데이터를 생성하는 단계를 포함하는 방법
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제2항에 있어서,상기 overwritable 메모리는,PRAM, MRAM, ReRAM, 3DXpoint Memory 중에서 어느 하나인 방법
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제1항에 있어서,상기 비휘발성 메모리는,non-overwritable 메모리인 NAND 플래시 메모리이고,상기 제1 데이터를 생성하는 단계는,상기 캐시 데이터에 기초하여, 상기 캐시 데이터를 소거(erase)하지 않고 상기 캐시 데이터에서 변경 가능한 값 중에서 어느 하나로 상기 제1 데이터를 생성하는 단계를 포함하는 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 데이터는,기 설정된 임의의 값이고,상기 제1 데이터로 덮어쓰는(Overwrite) 단계는,상기 캐시 데이터의 일부분을 상기 제1 데이터로 덮어쓰는 단계를 포함하는 방법
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제5항에 있어서,상기 캐시 데이터의 일부분을 상기 제1 데이터로 덮어쓰는 단계는,상기 캐시 데이터를 이등분하고, 이등분한 데이터 중에서 어느 하나를 상기 제1 데이터로 덮어쓰는 단계를 포함하는 방법
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제5항에 있어서,상기 캐시 데이터의 일부분을 상기 제1 데이터로 덮어쓰는 단계는,상기 캐시 데이터를 N등분하고, N등분된 데이터 중에서 K개를 선택하여 상기 제1 데이터로 덮어쓰는 단계를 포함하는 방법
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제1항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 인터페이스 중 적어도 하나는 DDR(double data rate) 인터페이스인 방법
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제1항에 있어서,상기 비휘발성 메모리 장치에서 상기 무효화 요청이 완료되었다는 정보를 상기 중앙 처리 장치로 전송하는 단계를 더 포함하는 방법
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적어도 하나의 비휘발성 메모리부; 및 상기 적어도 하나의 비휘발성 메모리부를 제어하는 메모리 제어기를 포함하고,상기 메모리 제어기는,랜덤 데이터를 생성하는 랜덤 데이터 생성부; 및비휘발성 메모리의 제1 주소의 캐시 데이터에 대한 무효화 요청(invalidation request)을 수신하고, 상기 무효화 요청에 대한 응답으로 상기 랜덤 데이터를 상기 제1 주소에 덮어쓰는 캐시 데이터 처리부를 포함하는 비휘발성 메모리
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제10항에 있어서,상기 적어도 하나의 비휘발성 메모리부는,overwritable 메모리인 PRAM, MRAM, ReRAM, 3DXpoint Memory 중에서 어느 하나이고,상기 랜덤 데이터 생성부는,난수 발생기에 의해 생성한 난수에 기초하여 상기 랜덤 데이터를 생성하는 것인 비휘발성 메모리
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제10항에 있어서,상기 적어도 하나의 비휘발성 메모리부는,non-overwritable 메모리인 NAND 플래시 메모리이고,상기 랜덤 데이터 생성부는,상기 캐시 데이터에 기초하여, 상기 캐시 데이터를 소거(erase)하지 않고 상기 캐시 데이터에서 변경 가능한 값 중에서 어느 하나로 상기 랜덤 데이터를 생성하는 것인 비휘발성 메모리
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제10항에 있어서,상기 캐시 데이터 처리부는,상기 제1 주소의 캐시 데이터에 대한 무효화 요청이 없더라도, 상기 제1 주소의 캐시 데이터가 플러쉬(Flush) 된 후 기 설정된 시간이 경과하면, 상기 랜덤 데이터를 상기 제1 주소에 덮어쓰는 것인 비휘발성 메모리
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제10항에 있어서,상기 무효화 요청은 비식별 기술과 관련된 요청인 비휘발성 메모리
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