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플라즈마 내의 가스 라디칼과의 반응을 통해 이온결합물질을 형성시킬 수 있는 금속층이 표면에 형성된 기판을 준비하는 단계와, 상기 금속층과 이온결합물질을 형성시킬 수 있는 가스 라디칼을 포함하는 플라즈마 처리를 하는 단계를 포함하며,상기 플라즈마 처리 시에, 상기 금속층의 금속과 플라즈마 내의 가스 라디칼과의 반응을 통해 상기 금속층의 표면에 이온결합물질을 형성시키고, 이 이온결합물질과 상기 금속층을 구성하는 금속과의 격자 불일치로 인해 발생하는 변형 에너지를 완화시키는 과정에 이온결합물질로 이루어진 나노 로드가 생성되도록 하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마를 이용한 나노 로드의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 이온결합물질은, 금속 산화물, 금속 염화물, 또는 금속 질화물 중의 하나인 것을 특징으로 하는, 플라즈마를 이용한 나노 로드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속층은, Li, Na, Mg, K, Ti, Fe, Ni, Co, Cu, Zn, Ag, Au, Sn, In 중에서 선택된 1종 이상의 원소를 포함하는 금속인 것을 특징으로 하는, 플라즈마를 이용한 나노 로드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리에 사용되는 기체는, O2, N2, He, Ar, SiH4, NF3, CF4, N2O, Cl2, BCl4, NH3로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마를 이용한 나노 로드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리우레아(PUA), 폴리이미드(Polyimide), SU-8(에폭시 계열의 광경화수지)와 같이 C-H-O의 결합으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 플라스틱, 유리, 사파이어, 실리콘, 또는 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는, 플라즈마를 이용한 나노 로드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노 로드는, 단결정 또는 다결정 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 플라즈마를 이용한 나노 로드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속층은, 금속 포일(foil) 또는 물리기상증착법(PVD)을 통해 형성된 금속막인 것을 특징으로 하는, 플라즈마를 이용한 나노 로드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리 시의, 시간, 파워, 또는 압력을 통해, 생성되는 나노 로드의 크기 및 모양을 조절하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마를 이용한 나노 로드의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 기판이 플라스틱으로 이루어질 경우, 플라즈마 처리 과정에 생성되는 응력에 의해 기판이 휘고, 기판의 휨 특성을 이용하여 나노 로드 성장을 촉진시키는 것을 특징으로 하는, 플라즈마를 이용한 나노 로드의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 금속막의 두께는 1nm~3000nm이며, 금속막의 두께 조절을 통해 생성되는 나노 로드의 길이, 직경 또는 패턴의 주기를 조절하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마를 이용한 나노 로드의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 나노 로드의 길이, 직경, 또는 패턴의 주기 조절을 통해, 기판의 투과도 및 헤이즈를 조절하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마를 이용한 나노 로드의 제조방법
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