기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법

기술번호 : KST2018014173
담당센터 : 광주기술혁신센터
전화번호 : 062-360-4654

SMK 보기 상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명이 일실시 예에 따른 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법은 준비된 기판상에 유전체를 증착 및 패터닝하여 유전층을 형성하는 단계; 상기 유전층의 상부에 u-GaN, n-GaN 및 u-GaN이 순차적으로 증착된 GaN 구조층을 형성하는 단계; 상기 GaN 구조층을 식각하여 선택된 칩 형상으로 패터닝하는 단계; 상기 유전층을 식각하여 제거하는 단계; 상기 유전층의 상부 u-GaN를 식각하여 n-GaN를 노출시키는 단계; 상기 n-GaN를 식각하여 박막의 GaN층을 형성하는 단계; 및 상기 GaN층에 게이트 유전체 증착 및 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL	H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/778 (2006.01.01) H01L 21/3063 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01)
CPC	H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자	1020170034484 (2017.03.20)
출원인	전남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2018-0107393 (2018.10.02) 문서열기
공고번호/일자	문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2017.03.20)
심사청구항수	16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	전남대학교산학협력단	대한민국	광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	류상완	대한민국	광주광역시 북구
2	강진호	대한민국	전라남도 장흥군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	특허법인아이엠	대한민국	서울특별시 강남구 봉은사로 *, *호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	전남대학교산학협력단		광주광역시 북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2017.03.20	수리 (Accepted)	1-1-2017-0271780-52
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2017.05.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2017.08.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2017-0116822-50
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2017.08.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0557718-18
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2017.09.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-0944585-52
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2017.09.27	수리 (Accepted)	1-1-2017-0944618-71
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2018.02.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0131432-10
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2018.03.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-0245450-81
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.03.30	수리 (Accepted)	4-1-2018-5056463-72
10	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2018.08.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0565962-19
11	[명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2018.09.20	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2018-0941557-04
12	등록결정서 Decision to Grant Registration	2018.10.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0710505-25

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 준비된 기판상에 유전체를 증착 및 패터닝하여 유전층을 형성하는 단계;상기 유전층의 상부에 u-GaN, n-GaN 및 u-GaN이 순차적으로 증착된 GaN 구조층을 형성하는 단계;상기 GaN 구조층을 식각하여 선택된 칩 형상으로 패터닝하는 단계;상기 유전층을 식각하여 제거하는 단계;상기 유전층이 제거된 공간에 KOH용액을 주입하여 상기 유전층의 상부 u-GaN를 식각하여 n-GaN를 노출시키는 단계;전기화학적 에칭을 이용하여 상기 n-GaN를 선택적으로 식각하여 박막의 GaN층을 형성하는 단계; 및상기 GaN층에 게이트 유전체 증착 및 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 유전층은 SiO2 또는 SiNx 인 것을 특징으로 하는 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 유전층은 10㎛ 이하의 폭을 갖는 스트라이프 형상인 것을 특징으로 하는 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 GaN 구조층을 식각하여 선택된 칩 형상으로 패터닝하는 단계는, cl2 플라즈마 가스 기반 RIE 식각공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 유전층을 식각하여 제거하는 단계는, HF를 에천트로 이용한 습식식각으로 제거되는 것을 특징으로 하는 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법
6	6 제 1 항에 있어서,상기 GaN층은 u-GaN단일층, GaN/InGaN, GaN/AlGaN, GaN/AlN/AlGaN, GaN/AlGaN/GaN, GaN/InGaN/GaN으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 유전체는 Al2O3, SiO2, HfO 및 ZrO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법
8	8 제 1 항에 있어서,상기 전극은 소스, 게이트 및 드레인으로 이루어지며, 상기 게이트 전극은 채널층인 상기 GaN층 전면을 감싸도록 콜로이드 메탈 파티클 입자로 코팅되는 것을 특징으로 하는 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법
9	9 제 1 항에 있어서,상기 GaN 구조층은 복수 개가 순차적으로 적층되는 것을 특징으로 하는 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법
10	10 준비된 기판상에 유전체를 증착 및 칩 형상으로 패터닝된 유전층을 형성하는 단계;상기 유전층의 상부에 u-GaN, n-GaN 및 u-GaN를 상기 칩 형상으로 순차적으로 증착하여 GaN 구조층을 형성하는 단계;상기 유전층을 식각하여 제거하는 단계;상기 유전층이 제거된 공간에 KOH용액을 주입하여 상기 유전층의 상부 u-GaN를 식각하여 n-GaN를 노출시키는 단계;전기화학적 에칭을 이용하여 상기 n-GaN를 선택적으로 식각하여 박막의 GaN층을 형성하는 단계; 및상기 GaN층에 게이트 유전체 증착 및 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법
11	11 제 10 항에 있어서,상기 유전층은 SiO2 또는 SiNx 인 것을 특징으로 하는 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법
12	12 제 10 항에 있어서,상기 유전층을 식각하여 제거하는 단계는, HF를 에천트로 이용한 습식식각으로 제거되는 것을 특징으로 하는 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법
13	13 제 10 항에 있어서,상기 GaN층은 u-GaN단일층, GaN/InGaN, GaN/AlGaN, GaN/AlN/AlGaN, GaN/AlGaN/GaN, GaN/InGaN/GaN으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법
14	14 제 10 항에 있어서, 상기 게이트 유전체는 Al2O3, SiO2, HfO 및 ZrO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법
15	15 제 10 항에 있어서,상기 전극은 소스, 게이트 및 드레인으로 이루어지며, 상기 게이트 전극은 채널층인 상기 GaN층 전면을 감싸도록 콜로이드 메탈 파티클 입자로 코팅되는 것을 특징으로 하는 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법
16	16 제 10 항에 있어서,상기 GaN 구조층은 복수 개가 순차적으로 적층되는 것을 특징으로 하는 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법
17	17 삭제
18	18 삭제
19	19 삭제
20	20 삭제
21	21 삭제

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	미래창조과학부	전남대학교 산학협력단	중견연구자지원사업	유연기판 위에 구현된 고효율 GaN기반 압전 나노발전기 제작 연구

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2017.03.20	수리 (Accepted)	1-1-2017-0271780-52
2	선행기술조사의뢰서	2017.05.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2017.08.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2017-0116822-50
4	의견제출통지서	2017.08.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0557718-18
5	[명세서등 보정]보정서	2017.09.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-0944585-52
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2017.09.27	수리 (Accepted)	1-1-2017-0944618-71
7	의견제출통지서	2018.02.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0131432-10
8	[명세서등 보정]보정서	2018.03.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-0245450-81
9	출원인정보변경(경정)신고서	2018.03.30	수리 (Accepted)	4-1-2018-5056463-72
10	거절결정서	2018.08.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0565962-19
11	[명세서등 보정]보정서(재심사)	2018.09.20	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2018-0941557-04
12	등록결정서	2018.10.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0710505-25

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015221277][전남대학교]	실리콘 카바이드 메사 측벽의 각도 조절 방법	새창보기
[KST2014003788][전남대학교]	반도체 영역의 선택적 식각방법, 반도체층의 분리방법 및 반도체소자를 기판으로부터 분리하는 방법	새창보기
[KST2019014247][전남대학교]	누설전류 특성이 개선된 비평탄형 채널을 갖는 트랜지스터	새창보기
[KST2023004340][전남대학교]	클러스터 화합물 또는 이의 염 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물	새창보기
[KST2016015820][전남대학교]	절연 게이트 양극성 트랜지스터(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)	새창보기
[KST2019026729][전남대학교]	촉각센서 및 이의 제조방법	새창보기
[KST2020007094][전남대학교]	미세기둥으로 연결된 GaN 계열 박막층을 가진 반도체 기판 및 이의 제조 방법	새창보기
[KST2023004338][전남대학교]	주석 함유 실세스퀴옥산계 고분자 화합물 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물	새창보기
[KST2017015680][전남대학교]	양면 실리콘렌즈 및 이의 제조방법(Double-sided silicon lens and method for manufacturing the same)	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.