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1
시료에 전자기파를 조사하여 상기 시료의 분광학적 특성을 측정하는 분광실험부가 설치된 진공챔버;상기 시료가 배치된 샘플셀;상기 샘플셀의 일측에 배치되어 상기 시료의 온도를 조절하는 열전소자부; 및상기 열전소자부의 온도를 조절하는 냉매순환부;를 포함하고,상기 열전소자부는상기 샘플셀에 밀착된 냉각헤드;상기 냉각헤드에 연결된 흡열플레이트; 및상기 흡열플레이트의 일측면 또는 양측면에 배치된 열전소자;를 포함하는 저온분광실험장치
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제 1 항에 있어서,상기 샘플셀은상기 시료가 수용된 샘플홀더;상기 샘플홀더가 설치된 홀더거치부; 및상기 홀더거치부의 일측 단부에 연결된 방열플레이트;를 포함하는 저온분광실험장치
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제 1 항에 있어서,상기 열전소자는상기 흡열플레이트에 밀착된 제 1 열전소자; 및상기 제 1 열전소자에 밀착된 제 2 열전소자;를 포함하는 저온분광실험장치
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제 4 항에 있어서,상기 제 1 열전소자의 냉각면은상기 흡열플레이트에 밀착되고,상기 제 1 열전소자의 발열면은상기 제 2 열전소자의 냉각면에 밀착된 것을 특징으로 하는 저온분광실험장치
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제 4 항에 있어서,상기 제 2 열전소자의 발열면은상기 냉매순환부에 밀착된 것을 특징으로 하는 저온분광실험장치
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7
시료에 전자기파를 조사하여 상기 시료의 분광학적 특성을 측정하는 분광실험부가 설치된 진공챔버;상기 시료가 배치된 샘플셀;상기 샘플셀의 양측에 배치되어 상기 시료의 온도를 조절하는 열전소자부; 및상기 열전소자부의 온도를 조절하는 냉매순환부;를 포함하고,상기 열전소자부는상기 샘플셀에 밀착된 냉각헤드; 및상기 냉각헤드의 일측면에 배치된 열전소자;를 포함하고,상기 열전소자는상기 냉각헤드에 밀착된 제 1 열전소자; 및상기 제 1 열전소자에 밀착된 제 2 열전소자; 를 포함하는 저온분광실험장치
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제 7 항에 있어서,상기 샘플셀은상기 시료가 수용된 샘플홀더;상기 샘플홀더가 설치된 홀더거치부; 및상기 홀더거치부의 양측 단부에 연결된 방열플레이트;를 포함하는 저온분광실험장치
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제 7 항에 있어서,상기 제 1 열전소자의 냉각면은상기 냉각헤드에 밀착되고,상기 제 1 열전소자의 발열면은상기 제 2 열전소자의 냉각면에 밀착된 것을 특징으로 하는 저온분광실험장치
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12
제 7 항에 있어서,상기 제 2 열전소자의 발열면은상기 냉매순환부에 밀착된 것을 특징으로 하는 저온분광실험장치
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13
제 1 항 및 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 냉매순환부는상기 열전소자부에 밀착된 쿨링플레이트; 및상기 쿨링플레이트에 냉매를 주입하는 순환모터;를 포함하는 저온분광실험장치
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14
제 1 항 및 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 샘플셀에 설치된 온도센서로부터 상기 시료의 온도데이터를 수신받고, 수신받은 상기 온도데이터를 기준하여 상기 시료의 냉각비율(cooling rate)을 산출하는 온도제어부를 더 포함하는 저온분광실험장치
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15
제 14 항에 있어서,상기 온도제어부로부터 수신받은 상기 냉각비율을 기준하여 상기 열전소자부에 인가되는 시간당 전류량을 산출하여 상기 열전소자부를 작동시키는 히터제어부를 더 포함하는 저온분광실험장치
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16
제 14 항에 있어서,상기 온도제어부로부터 수신받은 상기 냉각비율을 기준하여 상기 냉매순환부에 주입되는 냉매량을 산출하여 상기 냉매순환부를 작동시키는 냉매제어부를 더 포함하는 저온분광실험장치
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