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폴리실리콘을 이용한 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018014264
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 폴리실리콘을 이용한 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 낮은 턴-온 전압을 가질 뿐만 아니라 역방향 특성을 향상시킬 수 있는 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것이다.이러한 본 발명은, 실리콘카바이드 기판의 상부에 에피택시얼층, 폴리실리콘, 산화막 및 포토레지스트를 차례대로 형성하는 제1단계; 포토레지스트를 패터닝하여 포토레지스트패턴을 형성한 후, 포토레지스트패턴으로 산화막을 식각하여 산화막패턴을 형성하는 제2단계; 산화막패턴으로 폴리실리콘을 식각하여 폴리실리콘패턴을 형성하고, 포토레지스트패턴을 제거하는 제3단계; 산화막패턴으로 에피택시얼층의 상부 표면을 소정의 깊이로 식각하여 에피택시얼패턴을 형성한 후, 산화막패턴을 제거하여 트렌치를 완성하는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘을 이용한 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법을 기술적 요지로 한다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66143(2013.01) H01L 29/66143(2013.01)
출원번호/일자 1020170049043 (2017.04.17)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-2016447-0000 (2019.08.26)
공개번호/일자 10-2018-0116586 (2018.10.25) 문서열기
공고번호/일자 (20190830) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.04.11)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 석오균 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 강인호 대한민국 경상남도 진주시 강남로 **,
3 김상철 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 김형우 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 나문경 대한민국 경상남도 창원시 성산구
6 문정현 대한민국 경상남도 김해시 율하*로 **, *
7 방욱 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0371673-98
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0358523-32
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.04.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0358154-98
4 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee
2018.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0056067-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0199632-51
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.04.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0381988-12
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0382015-03
8 등록결정서
Decision to grant
2019.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0442319-10
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번호 청구항
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실리콘카바이드 기판의 상부에 에피택시얼층, 폴리실리콘, 산화막 및 포토레지스트를 차례대로 형성하는 제1단계;상기 포토레지스트를 패터닝하여 포토레지스트패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트패턴으로 상기 산화막을 식각하여 산화막패턴을 형성하는 제2단계;상기 산화막패턴으로 상기 폴리실리콘을 식각하여 폴리실리콘패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트패턴을 제거하는 제3단계; 및상기 산화막패턴으로 상기 에피택시얼층의 상부 표면을 소정의 깊이로 식각하여 에피택시얼패턴을 형성한 후, 상기 산화막패턴을 제거하여 트렌치를 완성하는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘을 이용한 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제4단계에서는,상기 실리콘카바이드 기판의 하부에 전극을 배치하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘을 이용한 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제4단계의 다음에는,상기 폴리실리콘패턴을 포함하는 상기 에피택시얼층 전 영역의 표면에 금속을 증착시키는 제5단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘을 이용한 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 제5단계의 금속은,백금(Pt), 니켈(Ni), 금(Au), 팔라듐(Pd) 및 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘을 이용한 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1단계의 산화막은,이산화규소(SiO2)인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘을 이용한 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드의 제조방법
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1 US20200098936 US 미국 FAMILY
2 WO2018194336 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 US2020098936 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2018194336 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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