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메탄과 이산화탄소를 포함하는 제1온도의 매립지 가스를 공급받아 플라즈마 방전에 의하여 제2온도로 가열하고 일부 개질 반응을 일으키는 플라즈마 반응부; 및 상기 플라즈마 반응부로부터 공급되는 가열되고 일부 개질된 제2온도의 기체에 촉매가 개질 반응하여 제2온도보다 낮고 일산화탄소와 수소를 포함하는 제3온도의 합성가스로 전환하는 촉매 반응부를 포함하며,상기 플라즈마 반응부는 제1온도의 매립지 가스를 공급받아서 제2온도로 배출하는 제1관체, 및상기 제1관체에 내장되어 플라즈마 방전으로 발생된 화염을 분출하는 플라즈마 하우징을 포함하고,상기 플라즈마 반응부는상기 플라즈마 하우징에 형성되는 유입구에 연결되어 유입되는 제1온도의 매립지 가스의 유량을 제어하는 유량 조절밸브, 및상기 유입구에 연결되어 산소나 공기를 공급하는 공기관을 더 포함하며,플라즈마 방전에 의하여 연소된 이산화탄소와 물을 주성분으로 하는 연소 생성물인 제2온도의 기체를 배출하고,제2온도의 기체를 토출하는 상기 플라즈마 하우징의 화염 토출 측에 연결되어 상기 촉매 반응부의 내부를 경유하고, 상기 촉매 반응부에 유출 관로로 연결되어 상기 제1관체에서 분기된 제2관체에 유입 관로로 연결되며,상기 촉매 반응부 내에서 열교환을 통한 흡열 반응으로 저하된 촉매의 온도를 상승시키도록 제2온도에서 저하된 제2-3온도의 기체를 배출하는 열교환부를 더 포함하는 플라즈마 촉매 방식의 건식 개질 장치
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제11항에 있어서,상기 제2관체 상에서, 상기 유입 관로와 상기 촉매 반응부 사이에 구비되어, 상기 열교환부를 경유한 제2-3온도의 기체를 추가 플라즈마 방전으로 제2-4온도의 기체로 더 가열하고,플라즈마에 의한 개질 반응을 통하여 제2-3온도의 기체에 포함된 메탄과 이산화탄소 및 제1온도의 기체의 일부를 개질하여 합성가스를 생성하여,상기 촉매 반응부로 공급하는 추가 플라즈마 반응부를 더 포함하는 플라즈마 촉매 방식의 건식 개질 장치
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메탄과 이산화탄소를 포함하는 제1온도의 매립지 가스를 공급받아 플라즈마 방전에 의하여 제2온도로 가열하고 일부 개질 반응을 일으키는 플라즈마 반응부; 및 상기 플라즈마 반응부로부터 공급되는 가열되고 일부 개질된 제2온도의 기체에 촉매가 개질 반응하여 제2온도보다 낮고 일산화탄소와 수소를 포함하는 제3온도의 합성가스로 전환하는 촉매 반응부를 포함하며,상기 플라즈마 반응부는 제1온도의 매립지 가스를 공급받아서 제2온도로 배출하는 제1관체, 및상기 제1관체에 내장되어 플라즈마 방전으로 발생된 화염을 분출하는 플라즈마 하우징을 포함하고,상기 제1관체에서 분기되는 제2관체, 및 상기 제2관체에 연결되어, 상기 플라즈마 반응부에 의하여 연소된 이산화탄소와 물을 주성분으로 하는 연소 생성물인 제2온도의 기체로부터 열을 교환하여, 제2온도에서 저하된 제2-3온도의 기체를 배출하는 열교환부를 더 포함하며,상기 열교환부는 내부에 추가 플라즈마 반응부를 구비하며,상기 추가 플라즈마 반응부는상기 열교환부의 내부에서, 상기 제2관체로 공급되는 제1온도의 기체와 상기 플라즈마 반응부 및 상기 열교환부를 경유하면서 가열 및 냉각된 제2-3온도의 기체를 제2-4온도로 가열하고,플라즈마에 의한 개질 반응을 통하여 제2-3온도의 기체에 포함된 메탄과 이산화탄소의 일부를 개질하여 합성가스를 생성하여,상기 촉매 반응부로 배출하며,상기 촉매 반응부는 상기 열교환부의 내부에서 상기 추가 플라즈마 반응부에 연결되어, 제2-4온도의 기체를 합성가스로 전환하는 플라즈마 촉매 방식의 건식 개질 장치
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제14항에 있어서,상기 추가 플라즈마 반응부와 상기 촉매 반응부 사이에 배치되어 제1온도와 제2-3온도에서 가열된 제2-4온도의 기체로 핫존을 형성하는 보염기를 더 포함하는 플라즈마 촉매 방식의 건식 개질 장치
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제15항에 있어서,상기 보염기는상기 추가 플라즈마 반응부를 향하여 개방되어 플라즈마 하우징의 토출측을 수용하여 제2-4온도의 기체를 포함하는 화염으로부터 열을 받는 열접수부, 및상기 열접수부에 폐쇄된 구조로 연결되어 상기 촉매 반응부의 내부에 배치되는 열전달부를 포함하는 플라즈마 촉매 방식의 건식 개질 장치
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제16항에 있어서,상기 열접수부는상기 플라즈마 하우징을 향하여 설정된 높이를 가지고, 동심원 구조로 배치되며, 측방으로 관통공들을 형성하고, 상기 플라즈마 하우징의 단부와 높이 차이 및 간격을 형성하는 제1원통부재들을 포함하는 플라즈마 촉매 방식의 건식 개질 장치
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제16항에 있어서,상기 열전달부는상기 촉매 반응부를 향하여 설정된 길이를 가지고, 동심원 구조로 배치되는 제2원통부재들을 포함하는 플라즈마 촉매 방식의 건식 개질 장치
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제14항에 있어서,상기 제2온도는 950~1300K인 플라즈마 촉매 방식의 건식 개질 장치
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메탄과 이산화탄소를 포함하는 제1온도의 매립지 가스를 플라즈마 반응부로 공급받아 플라즈마 방전에 의하여 제2온도로 가열하고 일부 개질 반응을 일으키는 제1단계; 및상기 제1단계로부터 공급되는 가열되고 일부 개질된 제2온도의 기체에 촉매 반응부의 촉매가 개질 반응하여 제2온도보다 낮고 일산화탄소와 수소를 포함하는 제3온도의 합성가스로 전환하는 제2단계를 포함하며,상기 제1단계는상기 제2단계 시작 전, 제2온도의 기체로 촉매 반응부의 내부를 경유하고,상기 촉매 반응부 내에서 열교환을 통한 흡열 반응으로 저하된 촉매의 온도를 상승시키도록 제2온도에서 저하된 제2-3온도의 기체를 배출하는 단계를 더 포함하는 플라즈마 촉매 방식의 건식 개질 방법
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제26항에 있어서,상기 제1단계는열교환 후, 제2-3온도의 기체를 추가 플라즈마 방전에 의하여 제2-4온도의 기체로 더 가열하고,플라즈마에 의한 개질 반응을 통하여 제2-3온도의 기체에 포함된 메탄과 이산화탄소 및 제1온도의 기체의 일부를 개질하여 합성가스를 생성하여,제2-4온도의 기체와 합성가스를 배출하는 단계를 더 포함하는 플라즈마 촉매 방식의 건식 개질 방법
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메탄과 이산화탄소를 포함하는 제1온도의 매립지 가스를 플라즈마 반응부로 공급받아 플라즈마 방전에 의하여 제2온도로 가열하고 일부 개질 반응을 일으키는 제1단계; 및상기 제1단계로부터 공급되는 가열되고 일부 개질된 제2온도의 기체에 촉매 반응부의 촉매가 개질 반응하여 제2온도보다 낮고 일산화탄소와 수소를 포함하는 제3온도의 합성가스로 전환하는 제2단계를 포함하며,상기 제1단계는제1관체 내에서 제1온도의 매립지 가스를 유량 제어하여 공급받고 산소나 공기를 공급받는 단계를 더 포함하며,플라즈마 방전에 의하여 연소된 이산화탄소와 물을 주성분으로 하는 연소 생성물인 제2온도의 기체를 배출하고,상기 제1단계는상기 제2단계 시작 전, 제1온도 및 제2-3온도의 기체를 추가 플라즈마 방전에 의하여 제2-4온도의 기체로 가열하고,플라즈마에 의한 개질 반응을 통하여 제1온도 및 제2-3온도의 기체에 포함된 메탄과 이산화탄소의 일부를 개질하여 합성가스를 생성하여,제2-4온도의 기체와 합성가스를 배출하여 정체시켜 핫존을 형성하고,상기 핫존의 가열된 제2-4온도의 기체로부터 열교환되어 촉매 반응부의 촉매로 열을 전달하는 단계를 더 포함하는 플라즈마 촉매 방식의 건식 개질 방법
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