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적외선 발광 다이오드 및 적외선 가스 센서

  • 기술번호 : KST2018014377
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 발광 다이오드 소자는, n+-도전형의 GaSb 기판; 상기 GaSb 기판 상에 배치된 n+-도전형의 GaSb 버퍼층; 상기 GaSb 버퍼층 상에 배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 하부 크레딩층; 상기 AlGaAsSb 하부 크레딩층 상에 배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 제1 장벽층 (barrier layer); 제1 두께를 가지고 상기 AlGaAsSb 제1 장벽층 상에 배치된 n-도전형의 InGaAsSb 제1 양자 우물층; 상기 제1 양자 우물층 상에 배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 제2 장벽층 (barrier layer); 제2 두께를 가지고 상기 제2 장벽층 상에 배치된 n-도전형의 InGaAsSb 제2 양자 우물층; 상기 InGaAsSb 제2 양자 우물층 상에 배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 제3 장벽층 (barrier layer); 상기 AlGaAsSb 제3 장벽층 상에 배치된 p-도전형의 AlGaAsSb 상부 크레딩층; 및 상기 AlGaAsSb 상부 크레딩층 상에 배치된 p-도전형의 GaSb 콘택층;을 포함한다.
Int. CL H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/40 (2010.01.01) H01L 33/20 (2010.01.01) H01L 33/58 (2010.01.01) G01N 21/61 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180114196 (2018.09.21)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-2127636-0000 (2020.06.23)
공개번호/일자 10-2018-0117072 (2018.10.26) 문서열기
공고번호/일자 (20200629) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2017-0049846 (2017.04.18)
관련 출원번호 1020170049846
심사청구여부/일자 Y (2020.02.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김준오 경기도 용인시 처인구
2 이상준 대전광역시 유성구
3 김영호 강원도 원주시 개

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2018.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0948844-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2020.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-0189867-61
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.02.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0189837-02
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0152052-69
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2020-0397652-20
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.04.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0397692-46
10 등록결정서
Decision to grant		 2020.06.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0408899-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n+-도전형의 GaSb 기판;상기 GaSb 기판 상에 배치된 n+-도전형의 GaSb 버퍼층;상기 GaSb 버퍼층 상에 배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 하부 크레딩층;상기 AlGaAsSb 하부 크레딩층 상에 배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 제1 장벽층 (barrier layer);제1 두께를 가지고 상기 AlGaAsSb 제1 장벽층 상에 배치된 n-도전형의 InGaAsSb 제1 양자 우물층;상기 제1 양자 우물층 상에 배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 제2 장벽층 (barrier layer);제2 두께를 가지고 상기 제2 장벽층 상에 배치된 n-도전형의 InGaAsSb 제2 양자 우물층;상기 InGaAsSb 제2 양자 우물층 상에 배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 제3 장벽층 (barrier layer);상기 AlGaAsSb 제3 장벽층 상에 배치된 p-도전형의 AlGaAsSb 상부 크레딩층; 및상기 AlGaAsSb 상부 크레딩층 상에 배치된 p-도전형의 GaSb 콘택층;을 포함하고,상기 n-도전형의 InGaAsSb 제1 양자 우물층과 상기 n-도전형의 InGaAsSb 제2 양자 우물층은 서로 다른 두께 및 동일한 조성을 가지고,복수의 파장에서 발진하고,상기 GaSb 기판 상에 적층된 상기 GaSb 버퍼층 내지 상기 AlGaAsSb 상부 크레딩층은 상기 GaSb 기판과 격자 상수가 같은 격자정합 (lattice match) 구조를 이루고 있고,두 개의 파장에서 각각 발진하고, 두 파장 사이의 파장 간격은 각 파장의 반치폭(full width half maxim um)의 2배 이상인 것을 특징으로 하는 적외선 발광 다이오드 소자
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서,상기 AlGaAsSb 하부 크레딩층의 조성비는 Al0
4 4
제1 항에 있어서,상기 InGaAsSb 제1 양자 우물층의 제1 두께는 5nm 내지 9 nm이고,상기 InGaAsSb 제2 양자 우물층의 제2 두께는 10nm 내지 15 nm인 것을 특징으로 적외선 발광 다이오드 소자
5 5
제1 항에 있어서,상기 GaSb 기판의 하부에 배치된 하부 전극 패턴을 더 포함하고,상기 하부 전극 패턴은:상기 GaSb 기판과 접촉하는 Ni 패턴; 상기 Ni 패턴 하부에 배치된 Ge 패턴; 및상기 Ge 패턴 하부에 배치된 Au 패턴을 포함하고,상기 하부 전극 패턴은 상기 GaSb 기판과 오믹 접합하는 것을 특징으로 적외선 발광 다이오드 소자
6 6
제1 항에 있어서,상기 GaSb 콘택층 상에 배치된 상부 전극 패턴을 더 포함하고,상기 상부 전극 패턴은:상기 GaSb 콘택층과 접촉하는 Ti 패턴; 상기 Ti 패턴 상에 배치된 Pt 패턴; 및상기 Pt 패턴 상에 배치된 Au 패턴을 포함하고,상기 상부 전극 패턴은 상기 GaSb 콘택층과 오믹 접합하는 것을 특징으로 적외선 발광 다이오드 소자
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1 KR101918602 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국표준과학연구원 핵심소재원천기술개발사업 중적외선(2~5㎛) 발광 다이오드용 에피 기술 개발