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투명 기재 상에 아민기를 함유하는 고분자 전해질층을 형성하는 단계(단계 a); 및상기 고분자 전해질층 상에 금속 나노와이어층을 형성하는 단계(단계 b)를 포함하고,상기 단계 a에서 투명 기재는 PDMS(polydimethylsiloxane) 또는 PMMA(polymethylmethacrylate)이며, 단계 b는 고분자 전해질층이 형성된 투명 기재를, 500 ~ 2500 rpm으로 볼텍스 교반 중인 금속 나노와이어 용액에 3 ~ 10분간 침지시키는 방법으로 수행하고, 상기 고분자전해질 층의 아민기와 상기 나노와이어층의 금속 간에는 배위 결합이 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 단계 b에서 금속 나노와이어 용액의 농도는 0
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청구항 1에 있어서,상기 제조방법은 단계 a 및 단계 b를 반복수행하여 고분자 전해질층과 금속 나노와이어층의 적층 횟수(n)를 순차적으로 증가시키는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 고분자 전해질층은 PAH(poly(allylamine hydrochloride))를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 금속 나노와이어층은 Ag, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 투명 전극의 투과도는 550nm에서 43
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청구항 1에 있어서, 상기 투명 전극의 면저항은 0
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투명 기재;상기 투명 기재 상에 형성되고, 아민기를 포함하는 고분자 전해질층; 및상기 고분자 전해질층 상에 형성되는 금속 나노와이어층를 포함하고,상기 투명 기재는 PDMS(polydimethylsiloxane) 또는 PMMA(polymethylmethacrylate)이며, 상기 금속 나노와이어층은 고분자 전해질층이 형성된 투명 기재를, 500 ~ 2500 rpm으로 교반 중인 금속 나노와이어 용액에 3 ~ 10분간 침지시키는 방법으로 형성되며,상기 금속 나노와이어층과 상기 고분자 전해질층은 배위 결합되어 있는 것을 특징으로 하는, 투명 전극
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청구항 10에 있어서,상기 투명 전극의 투과도는 550nm에서 43
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투명 기재;상기 투명 기재 상에 형성되고, 아민기를 포함하는 고분자 전해질층; 및상기 고분자 전해질층 상에 형성되는 금속 나노와이어층를 포함하고,상기 투명 기재는 PDMS(polydimethylsiloxane) 또는 PMMA(polymethylmethacrylate)이며, 상기 금속 나노와이어층은 고분자 전해질층이 형성된 투명 기재를, 500 ~ 2500 rpm으로 교반 중인 금속 나노와이어 용액에 3 ~ 10분간 침지시키는 방법으로 형성되며,상기 금속 나노와이어층과 상기 고분자 전해질층은 배위 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 투명 전극
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투명 기재;상기 투명 기재 상에 형성되고, 아민기를 포함하는 고분자 전해질층; 및상기 고분자 전해질층 상에 형성되는 금속 나노와이어층를 포함하고,상기 투명 기재는 PDMS(polydimethylsiloxane) 또는 PMMA(polymethylmethacrylate)이며, 상기 금속 나노와이어층은 고분자 전해질층이 형성된 투명 기재를, 500 ~ 2500 rpm으로 교반 중인 금속 나노와이어 용액에 3 ~ 10분간 침지시키는 방법으로 형성되며,상기 금속 나노와이어층과 상기 고분자 전해질층은 배위 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드(OLEDs)용 투명 전극
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