| 1 |
1
기판; 상기 기판의 표면에 서로 이격되어 형성된 복수의 나노로드; 상기 기판의 표면 및 상기 나노로드의 표면 상에 형성된 금속함유 나노입자; 및상기 나노로드의 측면을 따라 상기 기판 측으로 내려오는 용액의 흐름을 제한하는 상기 나노로드의 측면에 형성된 단턱을 포함하는 모세관흐름방지부를 포함하고, 상기 모세관흐름방지부는 모세관힘에 의해 나노로드 사이에 들어오는 분석시료 용액의 흐름을 제한하는 것인, 분광분석용 기판
|
| 2 |
2
제1항에 있어서; 상기 기판은 고분자 기판인, 분광분석용 기판
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 나노로드는 상부 돌출곡면을 가지는, 분광분석용 기판
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 나노로드의 종횡비는 2 내지 10인, 분광분석용 기판
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 나노로드는 플라즈마 식각에 의해 형성되는, 분광분석용 기판
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 플라즈마 식각은 아르곤, 산소, 수소, 헬륨, 탄소, 황, 불소 및 질소 기체로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 기체를 사용하는, 분광분석용 기판
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 금속함유 나노입자는 라만활성물질을 진공증착시켜 형성되는, 분광분석용 기판
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 진공증착은 스퍼터링(sputtering), 기화(evaporation), 화학 증기 증착(chemical vapor deposition), 및 원자층 증착(atomic layer deposition)에서 선택되는, 분광분석용 기판
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 라만활성물질은 Al, Au, Ag, Cu, Pt, Pd 및 이의 합금에서 선택되는,플라즈모닉 다중 나노구조체를 포함하는, 분광분석용 기판
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 모세관흐름방지부는 분석시료 용액의 모세관힘에 의한 나노로드의 기울임에 의해 기판 상에 인접한 나노로드 간에 나노갭이 형성되는 높이로 형성되는, 분광분석용 기판
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 나노로드의 측면에 서로 이격되어 형성된 금속함유 나노입자의 요각(re-entrant) 구조를 더 포함하는, 분광분석용 기판
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,상기 모세관흐름방지부가 형성되는 기판 및 나노로드의 표면적은 기판 및 나노로드의 총 표면적의 50% 이상 95% 미만인, 분광분석용 기판
|
| 14 |
14
제1항에 있어서,상기 모세관흐름방지부는 기판 표면 및 나노로드의 측면 중 기판에 가까운 부분 상에 형성된 금속함유 나노입자 상에 형성된 발수표면처리층인, 분광분석용 기판
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 발수표면처리층은 불화수소계 소수성 물질로 형성되는, 분광분석용 기판
|
| 16 |
16
제14항에 있어서,상기 발수표면처리층은 친수성 용매와, 기판 및 나노로드의 젖음비율이 5% 초과 50% 이하가 되도록 형성되는, 분광분석용 기판
|
| 17 |
17
제14항에 있어서,상기 발수표면처리층의 친수성 용매와의 접촉각이 135도 이상 166도 미만인, 분광분석용 기판
|
| 18 |
18
제1항에 있어서,상기 분광분석용 기판은 표면증강라만산란용 기판 또는 표면증강적외선 흡광분석용 기판인, 분광분석용 기판
|
| 19 |
19
광원;표면증강 라만분광용으로 사용되는 제1항에 기재된 분광분석용 기판; 및 라만분광을 검출하는 검출기;를 포함하는라만분광 장치
|
| 20 |
20
고분자 기판을 가공하여 서로 이격된 복수의 나노로드를 형성하는 단계; 상기 고분자 기판의 표면 및 상기 나노로드의 표면 상에 금속함유 나노입자를 형성하는 단계; 및상기 나노로드의 측면에, 상기 나노로드의 측면을 따라 상기 기판 측으로 내려오는 용액의 흐름을 제한하는 단턱을 포함하는 모세관흐름방지부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 모세관흐름방지부는 기판 표면 및 나노로드의 측면 중 기판에 가까운 부분 상에 형성된 금속함유 나노입자 상에 발수표면처리층으로 형성하는, 분광분석용 기판의 제조방법
|
| 21 |
21
제20항에 있어서,상기 모세관흐름방지부가 형성되는 기판 및 나노로드의 표면적은 기판 및 나노로드의 총 표면적의 50% 이상 95% 미만이 되도록 형성하는, 분광분석용 기판의 제조방법
|
| 22 |
22
삭제
|
| 23 |
23
제20항에 있어서,상기 발수표면처리층은 불화수소계 소수성 물질로 형성하는, 분광분석용 기판의 제조방법
|
| 24 |
24
제20항에 있어서, 상기 모세관흐름방지부는 발수표면처리 후 발수표면처리 물질을 일부 제거하여 형성하는, 분광분석용 기판의 제조방법
|
| 25 |
25
제1항 기재의 분광분석용 기판을 준비하는 단계;상기 분광분석용 기판에 분석시료 용액을 처리하는 단계;상기 처리된 분석시료 용액을 건조하는 단계; 및상기 분석시료에 광조사하여 신호를 검출하는 단계;를 포함하는, 분광분석용 기판을 이용한 분석방법
|
