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질화갈륨 계열 발광 다이오드의 제조방법 및 이로부터 제조된 질화갈륨 계열 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2018014471
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전류 밀집 현상을 개선하여 높은 전류 퍼짐 효과를 가져 소자 면적 대비 현저히 우수한 광 추출로 인하여 우수한 발광 효율을 가지는 질화갈륨 계열 발광 다이오드의 제조방법 및 이로부터 제조된 질화갈륨 계열 발광 다이오드를 제공한다. 또한, 본 발명은 저저항, 고투과도 특성 및 현저히 향상된 광 효율을 가지며, 수직 발광효율의 극대화를 통해 다양한 LED 조명 산업분야에 적극적으로 활용될 수 있는 고투과도/고효율/고출력의 질화갈륨 계열 발광 다이오드의 제조방법 및 이로부터 제조된 질화갈륨 계열 발광 다이오드를 제공한다.
Int. CL H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/14 (2010.01.01) H01L 33/42 (2010.01.01) H01L 33/44 (2010.01.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020170050340 (2017.04.19)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2000271-0000 (2019.07.09)
공개번호/일자 10-2018-0117352 (2018.10.29) 문서열기
공고번호/일자 (20191001) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.19)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현수 대한민국 전라북도 전주시 완산구
2 백민경 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 오문식 대한민국 전라북도 군산시 삼화길 ** (

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이룸리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0382493-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0024098-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0107255-27
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0360108-01
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.04.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0360110-93
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0592376-96
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-1074932-43
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1074933-99
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0185482-26
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-0377571-48
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.04.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0377572-94
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0325706-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
17 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.09.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5028010-00
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
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번호 청구항
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질화갈륨(GaN) 계열 P형 반도체 상에 투명전극이 형성된 질화갈륨 계열 발광 다이오드 제조방법에 있어서,상기 P형 반도체 상에 In 계열 투명전극 물질을 수직 발광 효율을 향상시키기 위하여 40 ~ 50° 기울기 조건으로 전자 빔 빗각 증착(oblique-angle deposition)하여 투명 전극을 형성하는 단계;상기 P형 반도체 및 투명전극을 400 ~ 700℃ 및 질소(N2) 분위기 하에서 열처리(Rapid Thermal Annealing)하는 단계; 및상기 투명전극의 전류 밀집(current crowding) 현상을 개선하기 위하여 상기 P형 반도체 상에 Ag 나노와이어 디스퍼젼을 코팅하여 Ag 나노 와이어를 상기 P형 반도체 상에만 선택적으로 형성시키는 단계;를 포함하되,상기 Ag 나노 와이어를 포함하는 상기 투명전극은 80 내지 150nm 두께로 형성하고, 상기 Ag 나노와이어 디스퍼젼을 코팅한 후에는 열처리를 하지 않으며, 제조된 상기 질화갈륨 계열 발광 다이오드의 전류퍼짐길이는 3
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제5항에 있어서,상기 빗각 증착의 그림자 효과에 의하여 상기 P형 반도체와 상기 투명 전극 사이의 계면에 다공성 미세구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 계열 발광 다이오드의 제조방법
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1 산업통상자원부 전북대학교 산학협력단 수송기기 특화조명 핵심기술개발 전문인력양성 사업 수송기기특화조명용 LED융합부품소재 핵심기술개발 전문인력양성
2 한국연구재단 전북대학교 산학렵력단 신진연구지원사업(후속지원) 고신뢰도 수직형 질화갈륨 발광다이오드 제조 및 특성평가 연구