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적외선 발광 다이오드 및 적외선 가스 센서

  • 기술번호 : KST2018014483
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 적외선 발광 다이오드 소자는, n+-도전형의 GaSb 기판; 상기 GaSb 기판 상에 배치된 n+-도전형의 GaSb 버퍼층; 상기 GaSb 버퍼층 상에 배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 하부 크레딩층; 상기 AlGaAsSb 하부 크레딩층 상에 배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 제1 장벽층 (barrier layer); 제1 두께를 가지고 상기 AlGaAsSb 제1 장벽층 상에 배치된 n-도전형의 InGaAsSb 제1 양자 우물층; 상기 제1 양자 우물층 상에 배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 제2 장벽층 (barrier layer); 제2 두께를 가지고 상기 제2 장벽층 상에 배치된 n-도전형의 InGaAsSb 제2 양자 우물층; 상기 InGaAsSb 제2 양자 우물층 상에 배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 제3 장벽층 (barrier layer); 상기 AlGaAsSb 제3 장벽층 상에 배치된 p-도전형의 AlGaAsSb 상부 크레딩층; 및 상기 AlGaAsSb 상부 크레딩층 상에 배치된 p-도전형의 GaSb 콘택층;을 포함한다.
Int. CL H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/40 (2010.01.01) H01L 33/20 (2010.01.01) H01L 33/58 (2010.01.01) G01N 21/61 (2006.01.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020170049846 (2017.04.18)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0116923 (2018.10.26) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020180114196;
심사청구여부/일자 Y (2017.04.18)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김준오 대한민국 경기도 용인시 처인구
2 이상준 대한민국 대전광역시 유성구
3 김영호 대한민국 강원도 원주시 개

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0379205-20
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0381925-88
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0024500-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0107252-91
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-0310895-98
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0310890-60
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0590986-80
9 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2018.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0948844-11
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0950718-69
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.09.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0950717-13
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0733642-55
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
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번호 청구항
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가스가 흐를 수 있는 통로를 구비한 광 케비티;상기 광 케비티의 일단에 배치되고 복수의 파장에서 동시에 발진하는 적외선 발광 다이오드 소자; 상기 광 케비티의 타단에 배치되고 감쇄된 광을 수신하는 복수의 수광 소자; 및상기 수광 소자의 각각의 전단에 배치되고 상기 적외선 발광 다이오드 소자의 발광 파장을 각각 투과시키는 복수의 파장 선택 투과 필터를 포함하고,상기 적외선 발광 다이오드 소자는:n+-도전형의 GaSb 기판;상기 GaSb 기판 상에 배치된 n+-도전형의 GaSb 버퍼층;상기 GaSb 버퍼층 상에 배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 하부 크레딩층;상기 AlGaAsSb 하부 크레딩층 상에 배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 제1 장벽층 (barrier layer);제1 두께를 가지고 상기 AlGaAsSb 제1 장벽층 상에 배치된 n-도전형의 InGaAsSb 제1 양자 우물층;상기 제1 양자 우물층 상에 배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 제2 장벽층 (barrier layer);제2 두께를 가지고 상기 제2 장벽층 상에 배치된 n-도전형의 InGaAsSb 제2 양자 우물층;상기 InGaAsSb 제2 양자 우물층 상에 배치된 n-도전형의 AlGaAsSb 제3 장벽층 (barrier layer);상기 AlGaAsSb 제3 장벽층 상에 배치된 p-도전형의 AlGaAsSb 상부 크레딩층; 및상기 AlGaAsSb 상부 크레딩층 상에 배치된 p-도전형의 GaSb 콘택층;을 포함하고,상기 n-도전형의 InGaAsSb 제1 양자 우물층과 상기 n-도전형의 InGaAsSb 제2 양자 우물층은 서로 다른 두께 및 동일한 조성을 가지고,상기 적외선 발광 다이오드 소자는 복수의 파장에서 동시에 발광하고,상기 적외선 발광 다이오드 소자는 두 개의 파장에서 각각 발진하고, 두 파장 사이의 파장 간격은 각 파장의 반치폭(full width half maximum)의 2배 이상이고,상기 InGaAsSb 제1 양자 우물층의 제1 두께는 5nm 내지 9 nm이고,상기 InGaAsSb 제2 양자 우물층의 제2 두께는 10nm 내지 15 nm이고,상기 GaSb 콘택층 상에 배치된 상부 전극 패턴을 더 포함하고,상기 상부 전극 패턴은:상기 GaSb 콘택층과 접촉하는 Ti 패턴; 상기 Ti 패턴 상에 배치된 Pt 패턴; 및상기 Pt 패턴 상에 배치된 Au 패턴을 포함하고,상기 GaSb 기판의 하부에 배치된 하부 전극 패턴을 더 포함하고,상기 하부 전극 패턴은:상기 GaSb 기판과 접촉하는 Ni 패턴; 상기 Ni 패턴 하부에 배치된 Ge 패턴; 및상기 Ge 패턴 하부에 배치된 Au 패턴을 포함하고,상기 상부 전극 패턴은 상기 GaSb 콘택층과 오믹 접합하고,상기 하부 전극 패턴은 상기 GaSb 기판과 오믹 접합하는 것을 특징으로 하는 적외선 가스 센서
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1 KR102127636 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국표준과학연구원 핵심소재원천기술개발사업 중적외선(2~5㎛) 발광 다이오드용 에피 기술 개발