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하기 화학식 1의 구조를 갖는 루테늄(Ru) 전구체(precursor)(C15H17NO6Ru2)와 산소(O)를 함유하지 않는 반응가스(non-oxidizing reducing agent)를 이용하여 원자층증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)으로 루테늄 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 루테늄 박막은 30 Torr 이상의 압력에서 형성하는 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 반응가스는 수소(H2)인 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 루테늄 박막의 비저항은 30μΩ·㎝ 이하인 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 루테늄 박막의 불순물 함유량이 1at% 이하인 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 루테늄 박막은 200℃ 이하의 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 루테늄 박막은,루테늄 박막을 증착하는 루테늄 박막 증착 단계; 및상기 증착된 루테늄 박막을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 단계;를 포함하여 형성하며,상기 루테늄 박막 증착 단계는,기판 상에 상기 루테늄 전구체를 공급하는 단계;상기 루테늄 전구체를 퍼지(purge)하는 단계;상기 기판 상에 상기 반응가스를 공급하는 단계; 및상기 반응가스를 퍼지하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
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제7항에 있어서,상기 루테늄 박막 증착 단계와 상기 플라즈마 처리 단계는 인-시튜(in-situ)로 수행하는 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
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제7항 또는 제8항에 있어서,상기 반응가스는 질소(N2)와 수소(H2) 플라즈마인 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 질소와 수소의 비율은 1:2 내지 1:20인 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
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제7항 또는 제8항에 있어서,상기 플라즈마 처리 단계는 환원성 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
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제11항에 있어서,상기 플라즈마 처리 단계는 수소 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
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제7항 또는 제8항에 있어서,상기 루테늄 박막의 비저항은 70μΩ·㎝ 이하인 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
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제7항 또는 제8항에 있어서,상기 루테늄 박막 증착 단계와 상기 플라즈마 처리 단계는 200℃ 이하의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
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