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나노입자를 준비하는 단계; 및상기 나노입자의 표면에, 상기 나노입자가 형성될 기판의 열전도도를 기준으로 서로 다른 두께를 가지는 산화막을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 산화막을 형성하는 단계에서,상기 기판의 열전도도가 미리 정해진 기준 값보다 작은 경우, 제1 두께의 산화막이 상기 나노입자의 표면에 형성되고, 상기 기판의 열전도도가 미리 정해진 기준 값보다 큰 경우, 제2 두께의 산화막이 상기 나노입자의 표면에 형성되되,상기 제1 두께는 상기 제2 두께보다 얇은, 광 소결 입자 제조방법
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제1 항에 있어서,상기 미리 정해진 기준 값은 1W/mK인, 광 소결 입자 제조방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 두께는 상기 나노입자 직경의 1~3%이고, 상기 제2 두께는 상기 나노입자 직경의 3~10%인, 광 소결 입자 제조방법
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나노입자를 준비하는 단계;상기 나노입자의 표면에, 상기 나노입자가 형성될 기판의 열전도도를 기준으로 서로 다른 두께를 가지는 산화막을 형성하는 단계; 및상기 산화막이 형성된 나노입자에 바인더 수지를 포함시켜 전도성 타겟을 제조하는 단계;를 포함하되,상기 산화막을 형성하는 단계에서,상기 기판의 열전도도가 미리 정해진 기준 값보다 작은 경우, 제1 두께의 산화막이 상기 나노입자의 표면에 형성되고, 상기 기판의 열전도도가 미리 정해진 기준 값보다 큰 경우, 제2 두께의 산화막이 상기 나노입자의 표면에 형성되되,상기 제1 두께는 상기 제2 두께보다 얇은, 광 소결 타겟 제조방법
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제5 항에 있어서,상기 미리 정해진 기준 값은 1W/mK인, 광 소결 타겟 제조방법
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제5 항에 있어서,상기 제1 두께는 상기 나노입자 직경의 1~3%이고, 상기 제2 두께는 상기 나노입자 직경의 3~10%인, 광 소결 타겟 제조방법
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나노입자의 표면에, 상기 나노입자가 형성될 기판의 열전도도를 기준으로 서로 다른 두께를 가지는 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막이 형성된 나노입자에 바인더 수지를 포함시켜 전도성 타겟을 제조하는 단계;상기 제조된 전도성 타겟을 상기 기판에 형성하는 단계; 및상기 기판에 형성된 전도성 타겟을 광소결하는 단계를 포함하되,상기 산화막을 형성하는 단계에서,상기 기판의 열전도도가 미리 정해진 기준 값보다 작은 경우, 제1 두께의 산화막이 상기 나노입자의 표면에 형성되고, 상기 기판의 열전도도가 미리 정해진 기준 값보다 큰 경우, 제2 두께의 산화막이 상기 나노입자의 표면에 형성되되, 상기 제1 두께는 상기 제2 두께보다 얇은 광 소결 방법
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제9 항에 있어서,상기 광소결하는 단계에서,상기 기판의 열전도도가 미리 정해진 기준 값보다 작은 경우, 제1 강도의 광이 상기 기판에 조사되고, 상기 기판의 열전도도가 미리 정해진 기준 값보다 큰 경우, 제2 강도의 광이 상기 기판에 조사되되, 상기 제1 강도는 상기 제2 강도보다 약한, 광 소결 방법
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나노입자가 형성될 기판의 특성에 따라 상기 나노입자의 표면에 산화막 형성이 필요한지 결정하는 단계; 및상기 나노입자의 표면에 산화막 형성이 필요한 경우, 상기 나노입자의 표면에 산화막을 형성하는 단계:를 포함하되,상기 결정하는 단계에서, 산화막 형성이 필요한 것으로 판단된 경우,상기 산화막을 형성하는 단계는,상기 기판의 열전도도가 미리 정해진 기준 값보다 작은 경우, 제1 두께의 산화막이 상기 나노입자의 표면에 형성되고, 상기 기판의 열전도도가 미리 정해진 기준 값보다 큰 경우, 제2 두께의 산화막이 상기 나노입자의 표면에 형성되되,상기 제1 두께는 상기 제2 두께보다 얇은 것을 포함하는, 광 소결 입자 제조방법
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제11 항에 있어서,상기 기판이 실리콘을 포함하는 경우, 상기 나노입자의 표면에 산화막 형성이 필요한 것으로 판단되는, 광 소결 입자 제조방법
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나노입자가 형성될 기판의 특성에 따라 상기 나노입자의 표면에 산화막 형성이 필요한지 결정하는 단계;상기 나노입자의 표면에 산화막 형성이 필요한 경우, 상기 나노입자의 표면에 산화막을 형성하는 단계: 및상기 산화막이 형성된 나노입자에 바인더 수지를 포함시켜 전도성 타겟을 제조하는 단계;를 포함하되,상기 결정하는 단계에서, 산화막 형성이 필요한 것으로 판단된 경우,상기 산화막을 형성하는 단계는,상기 기판의 열전도도가 미리 정해진 기준 값보다 작은 경우, 제1 두께의 산화막이 상기 나노입자의 표면에 형성되고, 상기 기판의 열전도도가 미리 정해진 기준 값보다 큰 경우, 제2 두께의 산화막이 상기 나노입자의 표면에 형성되되,상기 제1 두께는 상기 제2 두께보다 얇은 것을 포함하는, 광 소결 타겟 제조방법
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제14항에 있어서,상기 기판이 실리콘을 포함하는 경우, 상기 나노입자의 표면에 산화막 형성이 필요한 것으로 판단되는, 광 소결 타겟 제조방법
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나노입자가 형성될 기판의 특성에 따라 상기 나노입자의 표면에 산화막 형성이 필요한지 결정하는 단계;상기 나노입자의 표면에 산화막 형성이 필요한 경우, 상기 나노입자의 표면에 산화막을 형성하는 단계:상기 산화막이 형성된 나노입자에 바인더 수지를 포함시켜 전도성 타겟을 제조하는 단계;상기 제조된 전도성 타겟을 상기 기판에 형성하는 단계; 및상기 기판에 형성된 전도성 타겟을 광소결하는 단계를 포함하되,상기 결정하는 단계에서, 산화막 형성이 필요한 것으로 판단된 경우,상기 산화막을 형성하는 단계는,상기 기판의 열전도도가 미리 정해진 기준 값보다 작은 경우, 제1 두께의 산화막이 상기 나노입자의 표면에 형성되고, 상기 기판의 열전도도가 미리 정해진 기준 값보다 큰 경우, 제2 두께의 산화막이 상기 나노입자의 표면에 형성되되,상기 제1 두께는 상기 제2 두께보다 얇은 것을 포하는 광 소결 방법
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