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철 및 티탄이 포함된 광석; 염소; 및 탄소원;의 반응으로 염화철이 포함된 제1생성물 및 티탄이 포함된 침전물이 생성되는 제1반응부;상기 제1반응부와 연결되며, 상기 제1반응부로부터 이동된 상기 침전물; 염소; 및 탄소원;의 반응으로 사염화티탄이 포함된 제2생성물이 생성되는 제2반응부;상기 제1반응부와 연결되고, 상기 제1반응부로부터 이동된 상기 제1생성물의 응축이 이루어지는 제1응축부;상기 제2반응부와 연결되며, 상기 제2반응부로부터 이동된 상기 제2생성물의 응축이 이루어지는 제2응축부; 및철 및 티탄이 포함된 광석을 배소하여 활성화시키며, 활성화된 광석이 상기 제1반응부로 장입되도록 상기 제1반응부와 연결된 배소부;를 포함하고,상기 배소부는,상기 광석의 활성화가 이루어지는 로스팅공간이 마련된 배소본체;상기 배소본체에 연결되는 장입로를 통해 상기 로스팅공간으로 상기 광석을 제공하는 호퍼;상기 배소본체의 하부에 연결되고, 상기 로스팅공간으로 불활성 기체를 공급하는 가스공급기; 및상기 배소본체의 하부에 연결되며, 상기 로스팅공간에서 활성화된 광석이 배출되어 저장이 이루어지는 저장기;를 포함하는 사염화티탄 제조장치
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청구항 1에 있어서,상기 배소본체는,상기 로스팅공간의 온도가 800℃ 내지 1100℃로 유지되는 사염화티탄 제조장치
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청구항 3에 있어서,상기 배소부는,상기 배소본체와 연결되며, 상기 광석의 활성화에 의해 발생된 발생물 중에서 가스는 외부로 배출시키고, 고형물은 필터링하는 필터; 및일단이 상기 필터와 연결되며, 타단이 상기 장입로와 연통되어 필터링된 고형물이 상기 장입로를 따라 상기 로스팅공간으로 제공되도록 하는 제공로;를 더 포함하는 사염화티탄 제조장치
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청구항 3에 있어서,상기 제1반응부는,상기 배소부로부터 활성화된 광석이 공급되고, 활성화된 광석; 염소; 및 탄소원;의 반응이 이루어지는 내부공간이 마련된 제1반응본체; 및상기 제1반응본체 외측에 배치되고, 상기 내부공간의 온도를 800℃ 내지 1100℃로 유지시키는 제1온도조절기;를 포함하는 사염화티탄 제조장치
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청구항 5에 있어서,상기 제1반응부는,상기 저장기와 상기 제1반응본체를 연결하고, 상기 저장기로부터 활성화된 광석을 공급받아 상기 내부공간으로 활성화된 광석을 공급하는 광석공급기;상기 제1반응본체의 하부에 연결되고, 상기 내부공간으로 염소 또는 불활성 기체를 공급하는 제1기체공급기; 및상기 제1반응본체의 상부에 연결되며, 상기 내부공간으로 탄소원을 공급하는 제1탄소원공급기;를 더 포함하는 사염화티탄 제조장치
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청구항 6에 있어서,상기 제1반응부는,상기 제1기체공급기와 상기 내부공간을 연통시키는 제1공급로; 및상기 제1공급로 상에 설치되며, 염소 또는 불활성 기체의 출입을 단속하는 제1조절밸브;를 더 포함하는 사염화티탄 제조장치
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청구항 5에 있어서,상기 제1응축부는,상기 제1반응본체의 상부에 연결되며, 상기 제1생성물이 응축되도록 내부에 형성된 제1응축공간이 20℃ 내지 250℃로 유지되는 사염화티탄 제조장치
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청구항 8에 있어서,상기 제1응축부는,내부에 상기 제1응축공간이 마련된 제1응축본체; 및상기 제1응축본체의 상부에 연결되며, 상기 제1생성물 중에서 미반응 염소를 포함하는 불요가스는 외부로 배출시키는 제1배출기;를 포함하는 사염화티탄 제조장치
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청구항 9에 있어서,상기 제1응축부는,상기 제1반응본체와 상기 제1응축본체를 연결하는 응축로; 및상기 응축로 외측에 배치되고, 상기 응축로 내부의 온도를 700℃ 내지 800℃로 유지시키는 온도유지기;를 더 포함하는 사염화티탄 제조장치
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청구항 5에 있어서,상기 제2반응부는,상기 제1반응부로부터 상기 침전물이 공급되고, 상기 침전물; 염소; 및 탄소원;의 반응이 이루어지는 반응공간이 마련된 제2반응본체; 및상기 제2반응본체 외측에 배치되며, 상기 반응공간의 온도를 800℃ 내지 1100℃로 유지시키는 제2온도조절기;를 포함하는 사염화티탄 제조장치
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청구항 11에 있어서,상기 제2반응부는,상기 제1반응본체와 상기 제2반응본체를 연결하며, 상기 반응공간으로 상기 침전물이 이동되는 이동로;상기 제2반응본체의 하부에 연결되고, 상기 반응공간으로 염소 또는 불활성 기체를 공급하는 제2기체공급기; 및상기 제2반응본체의 상부에 연결되며, 상기 반응공간으로 탄소원을 공급하는 제2탄소원공급기;를 포함하는 사염화티탄 제조장치
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청구항 12에 있어서,상기 제2반응부는,상기 제2기체공급기와 상기 반응공간을 연통시키는 제2공급로; 및상기 제2공급로 상에 설치되며, 염소 또는 불활성 기체의 출입을 단속하는 제2조절밸브;를 더 포함하는 사염화티탄 제조장치
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청구항 11에 있어서,상기 제2응축부는,상기 제2반응본체의 상부에 연결되며, 상기 제2생성물이 응축되도록 내부에 형성된 제2응축공간이 20℃ 이하로 유지되는 사염화티탄 제조장치
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청구항 14에 있어서,상기 제2응축부는,내부에 상기 제2응축공간이 마련된 제2응축본체; 및상기 제2응축본체의 상부에 연결되며, 상기 제2생성물 중에서 미반응 염소를 포함하는 불요가스는 외부로 배출시키는 제2배출기;를 포함하는 사염화티탄 제조장치
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청구항 1에 있어서,상기 제2응축부와 연결되고, 응축된 제2생성물의 정제가 이루어지는 정제부;를 더 포함하는 사염화티탄 제조장치
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