| 1 |
1
철 및 티탄이 포함된 광석; 염소; 및 탄소원;을 80분 내지 100분 동안 반응시켜 염화철이 포함된 제1생성물을 선별적으로 생성시키고, 티탄이 포함된 침전물이 잔여하게 되는 제1반응단계;상기 제1생성물을 상기 침전물로부터 분리하여 응축시키는 제1응축단계;상기 침전물을 염소 및 탄소원과 반응시켜 사염화티탄이 포함된 제2생성물을 생성시키는 제2반응단계; 및상기 제2생성물을 포집하여 응축시키는 제2응축단계;를 포함하고,상기 제1응축단계에서는,상기 제1생성물을 포집하여 20℃ 내지 250℃에서 고상으로 응축시키는 사염화티탄 제조방법
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 제1반응단계 이전에는,상기 광석의 평균입도가 50㎛ 내지 1000㎛가 되도록 마련하는 준비단계;를 더 포함하는 사염화티탄 제조방법
|
| 3 |
3
청구항 2에 있어서,상기 준비단계에서는,상기 탄소원의 평균입도가 100㎛ 내지 5000㎛가 되도록 마련하는 사염화티탄 제조방법
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 제1반응단계는,800℃ 내지 1100℃에서 이루어지는 사염화티탄 제조방법
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 제1반응단계에서는,상기 광석 중의 철과 염소의 몰 비는 1:1
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 제2반응단계는,800℃ 내지 1100℃에서 이루어지는 사염화티탄 제조방법
|
| 8 |
8
청구항 1에 있어서,상기 제2반응단계에서는,상기 침전물 중의 티탄과 염소의 몰 비는 1:1
|
| 9 |
9
청구항 1에 있어서,상기 제2응축단계에서는,상기 제2생성물을 포집하여 20℃ 이하에서 액상으로 응축시키는 사염화티탄 제조방법
|
| 10 |
10
청구항 1에 있어서,상기 제2응축단계 이후에는,응축된 제2생성물을 정제하는 정제단계;를 더 포함하는 사염화티탄 제조방법
|
