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철 및 티탄이 포함된 광석; 염소; 및 탄소원;의 반응으로 염화철이 포함된 제1생성물 및 티탄이 포함된 침전물이 생성되고, 상기 침전물; 염소; 및 탄소원;의 반응으로 사염화티탄이 포함된 제2생성물이 생성되는 반응부;상기 반응부와 연결되며, 상기 반응부로부터 이동된 상기 제1생성물의 응축이 이루어지는 제1응축부; 및상기 반응부와 연결되고, 상기 반응부로부터 이동된 상기 제2생성물의 응축이 이루어지는 제2응축부;를 포함하고,상기 반응부는,상기 광석; 염소; 및 탄소원;의 반응이 이루어지는 내부공간이 마련된 반응본체; 및일단이 상기 내부공간과 연통되며, 타단이 분기되어 제1분기를 통해 상기 제1응축부와 연결되고, 제2분기를 통해 상기 제2응축부와 연결되는 이동로;를 포함하고,상기 제2응축부는,내부에 상기 제2생성물이 응축되는 제2응축공간이 마련된 제2응축본체;상기 제2응축본체와 연결되고, 상기 제2응축본체에서 응축된 제2생성물을 보관하는 보관기;상기 제2분기와 상기 제2응축공간을 연통시키는 제2응축로; 및상기 제2응축로 상에 설치되며, 상기 제2생성물의 출입을 단속하는 제2개폐밸브;를 포함하는 사염화티탄 제조장치
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청구항 1에 있어서,상기 반응부는,상기 반응본체 외측에 배치되고, 상기 내부공간의 온도를 800℃ 내지 1100℃로 유지시키는 제1온도조절기;를 더 포함하는 사염화티탄 제조장치
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청구항 2에 있어서,상기 반응부는,상기 이동로의 외측에 배치되고, 상기 이동로 내부의 온도를 700℃ 내지 800℃로 유지시키는 제2온도조절기;를 더 포함하는 사염화티탄 제조장치
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청구항 2에 있어서,상기 반응부는,상기 반응본체의 상부에 연결되며, 상기 내부공간으로 상기 광석을 제공하는 호퍼;상기 반응본체의 하부에 연결되고, 상기 내부공간으로 염소 또는 불활성 기체를 공급하는 기체공급기; 및상기 반응본체의 상부에 연결되며, 상기 내부공간으로 탄소원을 공급하는 탄소원공급기;를 더 포함하는 사염화티탄 제조장치
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청구항 4에 있어서,상기 반응부는,상기 기체공급기와 상기 내부공간을 연통시키는 공급로; 및상기 공급로 상에 설치되며, 염소 또는 불활성 기체의 출입을 단속하는 조절밸브;를 더 포함하는 사염화티탄 제조장치
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6
청구항 3에 있어서,상기 제1응축부는,상기 제1생성물이 응축되도록 내부에 형성된 제1응축공간이 20℃ 내지 250℃로 유지되는 사염화티탄 제조장치
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청구항 6에 있어서,상기 제1응축부는,내부에 상기 제1응축공간이 마련된 제1응축본체;상기 제1분기와 상기 제1응축공간을 연통시키는 제1응축로; 및상기 제1응축로 상에 설치되며, 상기 제1생성물의 출입을 단속하는 제1개폐밸브;를 포함하는 사염화티탄 제조장치
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청구항 7에 있어서,상기 제1응축부는,상기 제1응축로 외측에 배치되고, 상기 제1응축로 내부의 온도를 700℃ 내지 800℃로 유지시키는 제3온도조절기;를 더 포함하는 사염화티탄 제조장치
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9
청구항 6에 있어서,상기 제2응축부는,상기 제2응축공간이 20℃ 이하로 유지되는 사염화티탄 제조장치
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10
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11
청구항 1에 있어서,상기 제2응축부와 연결되고, 응축된 제2생성물의 정제가 이루어지는 정제부;를 더 포함하는 사염화티탄 제조장치
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