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과불소계 술폰산 전해질막의 술폰산기를 탄산기로 개질하는 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법으로서, a) 과불소계 술폰산 전해질막의 술폰산기를 염소화 반응시키는 단계;b) 상기 염소화 반응이 수행된 전해질막을 나이트릴화 반응시키는 단계; 및 c) 상기 나이트릴화 반응이 수행된 전해질막을 가수분해 반응시키는 단계를 포함하는 이온교환막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 a) 단계에서 과불소계 술폰산 전해질막의 술폰산기 일부를 염소화 반응시키는 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 b) 나이트릴화 반응 단계 전에 술폰산기의 일부를 복원시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 과불소계 술폰산 전해질막의 술폰산기 일부가 탄산기로 화학적 개질되어 이중층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 과불소계 술폰산 전해질막의 술폰산기 전체가 탄산기로 화학적 개질된 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 과불소계 술폰산 전해질막은 과불소계 술폰산 이오노머 기반의 단일 고분자 전해질막 또는 다공성 지지체를 포함하는 강화복합막인 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 과불소계 술폰산 이오노머는 폴리(퍼플루오로술폰산), 술폰산기를 포함하는 테트라플루오로에틸렌과 플루오로비닐에테르의 공중합체 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 강화복합막의 다공성 지지체는 폴리테르라플루오로에틸렌, 폴리비닐디플루오로에틸렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드 및 폴리아미드로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 염소화 반응은 과불소계 술폰산 전해질막을 SOCl2, MeSO2Cl, PCl5, POCl3, 디클로로메탄(DCM)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는 용액으로 처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 염소화 반응 용액의 농도는 0
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제1항에 있어서, 상기 염소화 반응은 10 내지 110℃에서 30초 내지 24시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 술폰산기의 복원 단계는 전해질막을 NaOH, KOH, LiOH, Be(OH)2, Ca(OH)2로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는 수용액으로 처리하는 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 술폰산기의 복원 단계에 사용된 용액의 농도는 0
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제3항에 있어서, 상기 술폰산기의 복원 단계는 10 내지 100℃에서 30초 내지 24시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 술폰산기의 복원 단계는 반응이 진행된 후 세척 및 건조 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 나이트릴화 반응은 염소화 반응이 수행된 전해질막을 KCN, CH3CN, KOCN, KSCN, NaOCN, AgCN, CuCN으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는 용액으로 처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법
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17
제16항에 있어서, 상기 나이트릴화 반응 용액의 농도는 0
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18
제1항에 있어서, 상기 나이트릴화 반응은 10 내지 120℃에서 30초 내지 24시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 가수분해 반응은 나이트릴화 반응이 수행된 전해질막을 HCl, H2SO4, H3PO4, HNO3, NaOH, KOH, LiOH, Be(OH)2, Ca(OH)2로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는 수용액 또는 초순수로 처리하는 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법
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20
제19항에 있어서,상기 가수분해 반응 용액의 농도는 0
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제1항에 있어서, 상기 가수분해 반응은 10 내지 120℃에서 30초 내지 24시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 염소화 반응 단계, 나이트릴화 반응 단계, 가수분해 단계는 각 반응이 진행된 후 세척 및 건조 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법
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삭제
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제2항 또는 제3항에 따른 이온교환막의 제조 방법에 의해 술폰산기 일부가 탄산기로 개질되어 이중층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 이온교환막
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