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n측 반도체층;상기 n측 반도체층 위에 적층되는 활성층;상기 활성층 위에 적층되는 p측 반도체층;상기 p측 반도체층의 상면으로부터 상기 활성층과 설정된 제1 간격(상기 활성층의 상면으로부터 상기 p측 반도체층의 적층방향으로의 두께)을 가지도록 식각되어 형성된 메사영역;상기 p측 반도체층에서 상기 메사영역을 제외한 영역으로 정의되는 릿지영역;상기 메사영역 위에 적층되어 구비되며, 상기 활성층에서 방출된 광과 그 표면에서 플라즈몬 공명을 일으키는 플라즈몬 발생층;상기 메사영역의 상면 및 상기 플라즈몬 발생층을 커버하도록 구비되는 전류 차단층;상기 릿지영역의 상면에 전기적으로 접속되는 p측 전극; 및상기 n측 반도체층에 전기적으로 접속되는 n측 전극;을 포함하는 반도체 레이저 발광소자
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청구항 1에 있어서,상기 제1 간격은, 상기 활성층으로부터의 이격 거리가 1nm~100nm로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 발광소자
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청구항 1에 있어서,상기 플라즈몬 발생층은, Ag, Au, Pt, Al, Cu, Ni 및 Ti로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 발광소자
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청구항 3에 있어서,상기 플라즈몬 발생층은, 금속 나노 입자 또는 금속 나노 패턴의 형태로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 발광소자
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청구항 4에 있어서,상기 금속 나노 입자의 입경 및 상기 금속 나노 패턴의 폭은, 10nm~150nm인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 발광소자
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청구항 1에 있어서,상기 플라즈몬 발생층은, FRET(Fluorenscence Resonance Energy Transfer; 형광 공명 에너지 전이) 입자로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 발광소자
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청구항 1에 있어서,상기 릿지영역은, 상기 활성층의 일단에서 타단까지 횡단하는 기둥 형상으로 구비되되, 상기 활성층의 중앙부에 위치되며,상기 플라즈몬 발생층은, 상기 릿지영역을 중심으로 대칭이 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 발광소자
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