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플라즈모닉 도파관용 적층체 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018014652
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 단결정의 금속 박막; 및 상기 단결정의 금속 박막 상에 형성된 그래핀층;을 포함하는 플라즈모닉 도파관용 적층체에 관한 것이다. 이에 의하여, 본 발명의 플라즈모닉 도파관용 적층체는 단결정 금속 박막과 그래핀을 이용하여 표면 플라즈몬 폴라리톤의 전파 길이를 유지하면서도 우수한 내식성을 가질 수 있다. 또한, 본 발명의 플라즈모닉 도파관 또는 이를 포함하는 플라즈모닉 소자는 이와 같은 적층체를 사용함으로써 성능의 신뢰성을 확보할 수 있다.
Int. CL G02B 6/13 (2006.01.01) G02B 6/122 (2006.01.01) G02B 5/00 (2006.01.01) G01N 21/552 (2014.01.01) G02B 6/12 (2006.01.01)
CPC G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01)
출원번호/일자 1020170053757 (2017.04.26)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0119966 (2018.11.05) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종혁 대한민국 서울특별시 성북구
2 이상수 대한민국 서울특별시 성북구
3 손정곤 대한민국 서울특별시 성북구
4 박민 대한민국 서울특별시 성북구
5 김희숙 대한민국 서울특별시 성북구
6 배완기 대한민국 서울특별시 성북구
7 임순호 대한민국 전라북도 완주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0409792-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0168106-07
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0034969-96
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0415162-24
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.04.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0415161-89
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0649203-21
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-1042143-42
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.10.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1042142-07
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0732827-26
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번호 청구항
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(a) 단결정의 금속 박막을 제조하는 단계:(b) 그래핀층을 제조하는 단계; 및(c) 상기 단결정의 금속 박막 상에 그래핀층을 전사시켜 표면 플라즈몬 폴라리톤(Surface Plasmon Polariton, SPP)의 전파길이가 1 내지 100㎛인 플라즈모닉 도파관용 적층체를 제조하는 단계;를 포함하고,단계 (a)에서,상기 단결정의 금속 박막은 단결정 Ag 또는 Cu 박막이고,상기 Ag 또는 Cu 박막은 판상의 단결정 마이카(mica) 기판 상에 Ag 또는 Cu 금속을 열증착함으로써 에피택셜 성장(epitaxial growth)시켜 제조되고,상기 열증착 이전에 100 내지 600℃로 1분 내지 60분간 상기 마이카 기판을 가열하여 상기 마이카 기판에 흡착된 분자를 제거하고,상기 열증착 중에 상기 마이카 기판을 360 내지 600℃의 온도를 유지하고,상기 열증착 이후에 360 내지 600℃의 온도에서 30 내지 60분간 가열하여 상기 단결정 Ag 또는 Cu 박막의 표면 거칠기를 0
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제7항에 있어서,단계 (b)에서 상기 그래핀층은 화학기상증착법 또는 기계적박리법에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 도파관용 적층체의 제조방법
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제12항에 있어서,단계 (b)는 화학기상증착법에 따라 수행되고, 금속촉매층 상에 화학기상증착으로 그래핀층을 형성하여 그래핀층/금속촉매층을 제조하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 도파관용 적층체의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 금속촉매층은 Cu, Ni, Fe, Pt, Pd, Ru 및 Co로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 도파관용 적층체의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 화학기상증착은 수소 기체 및 아르곤 기체 중에서 선택된 1종 이상과, 메탄 기체 및 에탄 기체 중에서 선택된 1종 이상을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 도파관용 적층체의 제조방법
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제7항에 있어서,단계 (c)의 그래핀 전사를 반복 수행하여 그래핀층의 층수를 조절하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 도파관용 적층체의 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술연구원 글로벌프론티어사업 나노카본 기반 소프트 전도체 개발