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제1 도전형의 제1 오믹 컨택층;제2 도전형의 제2 오믹 컨택층; 및상기 제1 및 제2 오믹 컨택층들 사이에 적층된 제1 및 제2 메사 구조체들을 포함하되,상기 제1 메사 구조체는: 전기장 완충층; 및상기 전기장 완충층 내에 형성된 확산층을 포함하고,상기 제2 메사 구조체는:광 흡수층; 및상기 광 흡수층 상의 그레이딩층을 포함하는 광 검출 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 메사 구조체는 상기 제2 메사 구조체 상에 배치되는 광 검출 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제2 메사 구조체의 폭은 상기 제1 메사 구조체의 폭보다 큰 광 검출 소자
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제 3 항에 있어서,상기 제2 메사 구조체의 폭은 상기 제1 메사 구조체의 폭의 1
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제 3 항에 있어서,상기 제1 메사 구조체는 상기 전기장 완충층 아래의 전기장 조절층을 더 포함하는 광 검출 소자
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6
제 3 항에 있어서,상기 제2 메사 구조체는 상기 그레이딩층 상의 전기장 조절층을 더 포함하는 광 검출 소자
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7
제 1 항에 있어서,제1면 상에 상기 제1 오믹 컨택층이 놓이는 기판을 더 포함하되,상기 제1 오믹 컨택층은 n형 오믹 컨택층이고, 상기 제2 오믹 컨택층은 p형 오믹 컨택층이며,상기 제1 오믹 컨택층 상에 상기 제2 메사 구조체가 배치되는 광 검출 소자
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8
제 7 항에 있어서, 상기 기판의 제2면 상의 마이크로 렌즈; 및상기 마이크로 렌즈 및 상기 기판의 제2면을 덮는 코팅막을 더 포함하는 광 검출 소자
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9
제 1 항에 있어서,상기 제2 오믹 컨택층은 상기 제1 메사 구조체 상에 배치되되, 상기 확산층과 수직적으로 중첩하는 광 검출 소자
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10
제 9 항에 있어서, 상기 제1 오믹 컨택층의 적어도 일부 및 상기 제1 및 제2 메사 구조체들을 덮는 패시배이션 막을 더 포함하는 광 검출 소자
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11
제 10 항에 있어서,상기 패시배이션 막은 상기 제2 오믹 컨택층을 노출하는 광 검출 소자
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제 10 항에 있어서,상기 패시배이션 막에 의해 노출되는 상기 제2 오믹 컨택층 상에 배치되는 제1 전극을 더 포함하는 광 검출 소자
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13
제 10 항에 있어서,상기 패시배이션 막에 의해 노출되는 상기 제1 오믹 컨택층 상에 배치되는 제2 전극을 더 포함하는 광 검출 소자
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제 5 항에 있어서,상기 전기장 완충층은 도핑되지 않은 InP를 포함하고, 상기 전기장 조절층은 실리콘이 도핑된 InP을 포함하는 광 검출 소자
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