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탄소 양자점의 제조 방법 및 탄소 양자점

  • 기술번호 : KST2018014686
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 탄소 양자점의 제조 방법 및 탄소 양자점에서, 본 발명의 탄소 양자점의 제조 방법은 탄소원이 분산된 분산액을 수열 반응시켜, 탄소 양자점을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL C09K 11/65 (2006.01.01) C09K 11/02 (2006.01.01)
CPC C09K 11/65(2013.01) C09K 11/65(2013.01)
출원번호/일자 1020170054060 (2017.04.27)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0120334 (2018.11.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박호석 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 박슬기 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0411855-28
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번호 청구항
1 1
탄소원이 분산된 분산액을 수열 반응시켜, 탄소 양자점을 형성하는 단계를 포함하는,탄소 양자점의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 탄소원은 바이오매스인 것을 특징으로 하는,탄소 양자점의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 수열 반응은 180 ℃ 내지 220 ℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는,탄소 양자점의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 탄소 양자점을 형성하는 단계에서,상기 탄소원이 분산된 분산액은 인(P), 황(S) 및 질소(N) 중 적어도 어느 하나의 원소를 포함하는 도핑제(doping agent)를 더 포함하고,분산액이 도핑제를 더 포함하는 경우, 인(P), 황(S) 및 질소(N) 중 적어도 어느 하나의 원소로 도핑된 탄소 양자점이 형성되는 것을 특징으로 하는,탄소 양자점의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 도핑제는피트산(Phytic acid), 염화포스포릴(Phosphoryl chloride), 메틸포스포닉산(Methyl phosphonic acid), 트리페닐포스핀(Triphenylphosphine), 싸이오글리콜산(Thioglycolic acid), 2-싸이오펜메탄올(2-thiophenemethanol), 벤질디설파이드(Benzyl disulfide), 멜라민(melamine), 우레아(urea) 및 암모니아(ammonia) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,탄소 양자점의 제조 방법
6 6
탄소원이 분산된 분산액을 수열 반응시켜 형성한 구형 입자 형태인 탄소 양자점
7 7
제6항에 있어서,상기 탄소 양자점은 인(P), 황(S) 및 질소(N) 중 적어도 어느 하나로 도핑된 것을 특징으로 하는,탄소 양자점
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국세라믹기술원 에너지수요관리핵심기술개발(에특) 슈퍼커패시터용 도전재 free 형 전극 소재 개발